根据协议,BAE将与AFRL合作,建立一个140纳米的GaN MMIC工艺线,该工艺线将于2020年开始生产,并通过开放式代工服务向国防部(DoD)供应商提供产品。 BAE Systems的高级微波产品总监Scott Sweetland表示,“目前在研发实验室中,以低产量和高成本生产毫米波GaN,或者在国防供应商无法广泛使用的专属代工厂中生产。”该协议将利...
GaN技术能在较小的面积内提供宽频带宽和高发射功率，使其成为下一代雷达、电子战和通信系统的理想方案。根据协议，BAE将与AFRL合作，建立一个140纳米的GaN单片微波集成电路（MMIC）技术，该技术将于2020年开始生产，并通过开放式服务向国防部供应商提供产品。这项工作将利用AFRL的高性能技术和BAE系统的6英寸晶圆制造...
在这项工作中, FAST实验室将开发基于氮化镓的单片微型集成电路(MMIC,monolithic microwave integrated circuit)和模块化电子器件,最终在其频带内开发一种大功率放大器模块。然后,将射频模块小型化后,再过渡到满足美国海军的有效载荷,实现在电子对抗中更远的射程和更高的效率。 FAST实验室的工作人员表示,“合并”计划缩...
DARPA THREADS 计划旨在克服功率放大功能固有的晶体管规模的温度限制。 THREADS 旨在利用新材料和新方法来扩散热量,从而降低单片微波集成电路 (MMIC) 的性能和使用寿命,从而解决当今氮化镓 (GaN) 器件的热管理挑战。 许多军事系统都利用射频 (RF) 电子器件,并且由于 GaN 晶体管变得太热,历史上的运行功率远低于理论极限。
Specifically, the project will scale the 140nm GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) technology to 6-inch wafers and increase its manufacturing level of maturity as part of the validation process, which will include optimizing performance, ensuring process stability, and maximizing wafer-...
Although the initial focus of GaN MMIC development focused on high power transmit applications, the benefits of GaN in receiver applications have spurred interest in low noise amplifier (LNA) development. This thesis explores the use of BAE Systems' GaN MMIC technology, still in the development ...
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的E-pHEMT MMIC AE314 (初步) 典型的射频性能: V DD = 5V ,我 DS = 100mA时TA = 25 ℃ , 75欧姆系统 S参数 25 20 噪声系数与频率 5 20 S21 10 回波损耗(分贝) 4 增益( dB)的 NF( dB)的 15 0 3 10 S11 S22 -10 2 5 -20
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