1. 成分差异:NMD-3显影液中的显影剂种类可能与AZ400K不同,从而导致两者在显影速度和影像质量上有所区别。此外,NMD-3中的保护剂、加速剂和抑制剂等成分也可能具有不同的特性和作用机制。 2. 性能差异:由于成分的不同,NMD-3显影液在显影性能上可能表现出与AZ400K不同的特点。例如,NMD-3可能具有更快的...
( 英) 文名稱: AZ 400K Developer 顯影劑 同義名稱: 化學文摘社登號碼 (CAS No.) : 20786-60-1 & 1310-58-3 & 7732-18-5 危物成份(含量%): 混合物: 化學性質: 危害物質成份之中英文名稱 濃度或濃度範圍(成份百分比) 危害物質分類及圖示 Potassium boric acid 硼酸鉀 未頒布 Potassium hydroxide 氫...
安智AZ400K AZ300MIF各种显影工艺厚膜光刻胶显影液剥离液 价格 ￥600.00 起订量 1升起批 货源所属商家已经过真实性核验1人想买 发货地 上海 上海 所属类目 化工能源;功能助剂;其他功能助剂 产品标签 厚膜光刻胶显影液;剥离液;显影液AZ400K;安智显影液;安智AZ400K显影液 获取底价 查看电话 在线咨询 ...
AZ400K显影液MSDS 1.物质的理化性质 名称：AZ 400K 显影液 成分：有害成分：硼酸钾（K2B4O7）CAS号：20786-60-1 浓度：＜15% 无害成分：水（H2O）CAS号：7732-18-5 浓度：＞85% 密度：1.085 g/cm3 沸点：100℃ 外观与性状：透明无色液体 气味：无气味。pH值：12.9 （碱性溶液）溶解性：与水混溶...
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Even as-grown GaN films, which can not be etched in AZ-400K, however can be etched if amorphized by ion implantation. Etch rates of as high as 450 脜/min. were observed. The etching proceeds linearly in GaN in the first few minutes to a depth corresponding to the depth of the ...
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