az5214e特征: 1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺); 2) 适用于正/负图形; 3) 很宽的膜厚范围。 az 5200e系列光刻胶参考工艺条件: 前烘:100℃ 60秒 (dhp); 曝光:i线步进式曝光机/接触式曝光机; 反转烘烤 :110~125℃ 90秒 (dhp):去离子水30秒; 全面曝光 :310~405nm (在曝光光源下全面照射);...
AZ5214E P r o d u c t D a t a S h e e t AZ 5214 E Image Reversal Photoresist ...
AZ 5214E photoresistEBDW lithographyLaser interference lithographyIn this paper examples of the applicability of the standard AZ 5214E photoresist are shown. The resist is besides its sensitivity to UV radiation sensitive also to e-beam exposure. The arrays of patterns (holes and columns) were ...
AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用 2. The image-reversal technology usingAZ5214Ephotoresist was studied in detail. 本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺,对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验。
光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上...
az5214e反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用 热度: 1999卑 第2期 微 细 加 工 技 术 MicrofabricationTechno]ogy № 2 l999 Z5214光刻胶及像反转特性的实验研究 17 c;I/ 国科学院光电技术研 擞罴 术国撞蜮雌 / 崔 控 (英国卢瑟福国家实验室RAL敞结构中心) ...
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E.,Gogolides,K.,... - 《Microelectronic Engineering》 被引量: 4发表: 1993年 Wet silylation and dry development with the AZ 5214TM photoresist A positive tone surface imaging process using wet silylation and dry development of AZ 5214TM photoresist was developed. The process ... Gogolides,Eva...
2、y&HighAdhesiong-iCross-overPositive-tonePhotoresist7 HYPERLINK l bookmark84AZGXR600系列高感光度高附若性G线l线通用正型光刻胶HighSensitivity&HighAdhesiong-iCross-overPositive-tonePhotoresist8AZ5200E系列应用于lift-off工艺图形反转正/负可转换I线光刻胶ImageReversalPatternPosiNegaConvertiblePhotoresist9AZMIR...