部件名ATF-33143 下载ATF-33143下载 文件大小521.87 Kbytes 页18 Pages 制造商AVAGO [AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED] 网页http://www.avagotech.com 标志 功能描述LowNoisePseudomorphicHEMTin aSurfaceMountPlasticPackageLowNoiseFigure Description Avago’s ATF-35143 is a high dynamic range, low noise, PHEMT housed...
部件名ATF-33143-BLKG 下载ATF-33143-BLKG下载 文件大小407.44 Kbytes 页17 Pages 制造商AVAGO [AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED] 网页http://www.avagotech.com 标志 功能描述LowNoisePseudomorphicHEMTin aSurfaceMountPlasticPackage Description Avago’s ATF-33143 is a high dynamic range, low noise PHEMT housed in...
FET类型 pHEMT FET 频率 2GHz 增益 15dB 电压- 测试 4V 额定电流 305mA 噪声系数 0.5dB 电流- 测试 80mA 功率- 输出 22dBm 电压 5.5V 封装/外壳 SC-82A,SOT-343 封装/外壳 SOT-343 连续漏极电流Id 305 mA 漏源极电压Vds 5.5 V 栅极电压Vgs -5 V 最大漏门电压 -5V 引脚数...
采用单电源供电模式,设计了一个基于E-PHEMT晶体管ATF-33143的两级低噪声放大器.在本文中采用Agilent公司的ADS对电路进行了匹配并进行了优化,最后通过S参数仿真得到了低噪声放大器的各项参数,在1.805~1.880 GHz频率范围内噪声系数小于0.45 dB ,带内增益大于30 dB ,输入驻波比小于2.0 dB ,输出驻波比小于1.5 dB ....
Agilent's is a high dynamic range, low noise PHEMT housed SC-70 (SOT-343) surface mount plastic package. Based on its featured performance, ATF-33143 is ideal for the first or second stage of base station LNA due to the excellent combination of low noise figure and enhanced linearity[1]...
ATF-33143-TR2 品牌:Broadcom Limited 系列: -- 类目: -- 封装: -- 说明:Trans JFET N-CH 5.5V 305mA pHEMT 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R 阿里巴巴旗下元器件采购平台 「数万家专业分销商与工厂的聚集地,货源海量,品类涵盖IC、分立、阻容、连接器、电子材料等。」 ...
商品描述 FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 包装 Tape & Reel (TR) 系列 - 零件状态 Obsolete 晶体管类型 pHEMT FET 频率 2GHz 增益 15dB 电压- 测试 4V 额定电流(安培) 305mA 噪声系数 0.5dB 电流- 测试 80mA 功率- 输出 22dBm 电压- 额定 5.5V 封装/外壳 SC-82A, SOT-343 供应商器件封装 SOT-343ATF...
部件名ATF-33143-TR1G 下载ATF-33143-TR1G下载 文件大小407.44 Kbytes 页17 Pages 制造商AVAGO [AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED] 网页http://www.avagotech.com 标志 功能描述LowNoisePseudomorphicHEMTin aSurfaceMountPlasticPackage Description Avago’s ATF-33143 is a high dynamic range, low noise PHEMT housed in...
采用单电源供电模式,设计了一个基于E-PHEMT晶体管ATF-33143的两级低噪声放大器.在本文中采用Agilent公司的ADS对电路进行 了匹配并进行了优化,最后通过S参数仿真得到了低噪声放大器的各项参数,在1.805~1.880 GHz频率范围内噪声系数小于0.45 dB ,带内增益大于30 dB ,输入驻波比小于2.0 dB ,输出驻波比小于1.5 dB ....
PHEMT Low-Noise Transistors Feature High Dynamic Range. (Wireless/RF Devices).(Agilent Technologies ATF-33143)(Brief Article)(Product Announcement)