更进一步,以ASM-HMET模型的应用案例论证该模型对于氮化镓GaN器件建模的有效性。文献[1]首次在较宽频率范围内验证了ASM-HEMT模型的准确性,验证频率范围高达毫米波频段,从结果来看ASM-HEMT模型不仅能够准确拟合器件的小信号行为,而且大信号仿真结果与功率测量结果高度一致,相关结果如图2所示;文献[2]首次通过非线性矢量测量...
为了尽快将AlGaN/GaN HEMT器件的这些优秀特性应用到工业领域,就需要对基于AlGaN/GaN HEMT器件的电路进行精确,快速的仿真,仿真的准确性和收敛性在很大程度上取决于用于AlGaN/GaN HEMT器件的紧凑型模型.ASM-HEMT模型是紧凑型模型理事会(CMC)认证的物理基紧凑型模型,该模型以器件的表面势和2DEG面密度的关系为突破口,...
本发明公开了一种改进的ASMHEMT GaN器件大信号模型的建立方法,基于物理基ASMHEMT模型,对宽禁带半导体射频GaN HEMT提出一种改进的直流特性模型,考虑到漏源电压(Vds),栅源电压(Vgs)对输出特性曲线低漏源电压处电流崩塌和kink效应的影响,对ASMHEMT中的漏源电流(Ids)公式进行修正.本发明通过在片测试一只单指栅宽为200...
成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法专利 金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，成都华大九天科技有限公司取得一项名为“一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法”的专利，授权公告号CN 115204089 B，申请日期为2022年7月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
00:00/00:00 成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法专利 金融界发布于:北京市2024.11.28 03:53 +1 首赞
证券之星消息,根据企查查数据显示华大九天(301269)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法”,专利申请号为CN202210104833.7,授权日为2024年7月30日。 专利摘要:一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:1)给定器件的工艺参数;2)提取电容_电压关系曲线相关参数...
一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法说明:本申请公开了一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法、装置及计算机可读存储介质。包括:设定...专利查询请上爱企查
成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法专利 快报2024-11-28 03:48:23 金融界灵通君 北京 举报 0 分享至 0:00 / 0:00 速度 洗脑循环 Error: Hls is not supported. 视频加载失败 金融界灵通君 89粉丝 金融界旗下账号 00:28 招商基金蛇口租赁住房REIT(180502)平开高走涨0.1%,...
金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,成都华大九天科技有限公司取得一项名为“一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法”的专利,授权公告号CN 115204089 B,申请日期为2…
成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法专利 金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,成都华大九天科技有限公司取得一项名为“一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法”的专利,授权公告号CN 115204089 B,申请日期为2022年7月。 本文源自:金融界 作者:情报员...