ASM-HEMT模型是一种基于表面电位的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管的紧凑模型,是印度坎普尔理工学院和麦考瑞大学共同开发的。该模型是由印度坎普尔理工学院(Yogesh Singh Chauhan教授领导)和麦格理大学(Sourabh Khandelwal教授领导)的团队经过5年多的严格研究后标准化的。2018年1月,它被Silicon Integration Initiative的Compact...
最后强烈推荐ASM-HEMT模型原作者Sourabh Khandelwal写的一本书《Advanced SPICE Model for GaN HEMTs (ASM-HEMT): A New Industry-Standard Compact Model for GaN-based Power and RF Circuit Design》,该书较为详细地介绍了ASM-HEMT模型的实现方式和背后的物理规律。 参考文献: [1].Miller N C , Moser N A...
无障碍 关怀版 登录 视频加载失败,可以 刷新 试试 00:00/00:00 评论 还没有人评论过,快来抢首评 发布 成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法专利 金融界 发布于:北京市 2024.11.28 03:53 分享到 推荐视频 已经到底了 热门视频 已经到底了 ...
23.为实现上述目的,本发明还提供一种gan hemt的asm模型直流参数提取的装置,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的程序,所述处理器运行所述程序时执行上述的gan hemt的asm模型直流参数提取方法的步骤。 24.为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机...
成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法专利 快报2024-11-28 03:48:23 金融界灵通君 北京 举报 0 分享至 0:00 / 0:00 速度 洗脑循环 Error: Hls is not supported. 视频加载失败 金融界灵通君 89粉丝 金融界旗下账号 00:28 招商基金蛇口租赁住房REIT(180502)平开高走涨0.1%,...
成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法专利 金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，成都华大九天科技有限公司取得一项名为“一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法”的专利，授权公告号CN 115204089 B，申请日期为2022年7月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
1、发明目的:本发明提出了一种改进的asm-hemtgan器件大信号模型的建立方法,精确拟合了vds、vgs对电流崩塌和kink效应的影响,实现了从线性区到饱和区的良好过渡,从而在整个工作区域内精确表征了gan hemt器件的直流特性。 2、技术方案:本发明提出的一种改进的asm-hemt gan器件大信号模型的建立方法,包括如下步骤: ...
成都华大九天取得一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法专利 金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,成都华大九天科技有限公司取得一项名为“一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法”的专利,授权公告号CN 115204089 B,申请日期为2022年7月。 本文源自:金融界 作者:情报员...
1.一种asm-gan hemt的spice模型参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.根据权利要求1所述的一种asm-gan hemt的spice模型参数提取方法,其特征在于,在步骤二中具体为:通过300k时漏极电流_栅极电压曲线和跨导_栅极电压曲线以及370k时漏极电流_栅极电压曲线提取相关参数。
Core model and 2. Real device effects model. Discussions on these components will be presented from user point of view.doi:10.1007/978-3-030-77730-2_3S. KhandelwalAdvanced SPICE Model for GaN HEMTs (ASM-HEMT)... S Khandelwal - Advanced SPICE Model for GaN HEMTs (ASM-HEMT) 被引量: 0...