最后强烈推荐ASM-HEMT模型原作者Sourabh Khandelwal写的一本书《Advanced SPICE Model for GaN HEMTs (ASM-HEMT): A New Industry-Standard Compact Model for GaN-based Power and RF Circuit Design》,该书较为详细地介绍了ASM-HEMT模型的实现方式和背后的物理规律。 参考文献: [1].Miller N C , Moser N A...
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难.介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程,新陷阱模型可以更好地表征器件陷阱俘获和释放电子的不对称性.基于0.25μm GaN HEMT...
ASM-HEMT模型是一种基于表面电位的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管的紧凑模型,是印度坎普尔理工学院和麦考瑞大学共同开发的。该模型是由印度坎普尔理工学院(Yogesh Singh Chauhan教授领导)和麦格理大学(Sourabh Kh…
6、(4)通过对gan hemt器件进行在片测试,对建立的gan hemt直流特性模型进行验证。 7、优选地,步骤(1)中asm-hemt模型通过求解薛定谔方程和泊松方程,得到gan/algan异质结处2deg对应的费米能级电势的表达式,得到源极和漏极的表面势,根据载流子漂移扩散运动机制并结合gan hemt器件真实物理效应,得到漏源电流方程。 8、...
1.本发明涉及集成电路自动化设计领域,特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt)的asm模型直流参数提取方法。 背景技术: 2.氮化镓高级spice模型(gan asm)被认为是功率gan和射频gan的工业紧凑标准模型,目前主要应用于工业界。gan asm模型除了讨论大信号建模外,对gan hemt的场板电容、陷阱效应、kink效应以及噪声...
1.一种asm-gan hemt的spice模型参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.根据权利要求1所述的一种asm-gan hemt的spice模型参数提取方法,其特征在于,在步骤二中具体为:通过300k时漏极电流_栅极电压曲线和跨导_栅极电压曲线以及370k时漏极电流_栅极电压曲线提取相关参数。
证券之星消息,根据企查查数据显示华大九天(301269)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法”,专利申请号为CN202210104833.7,授权日为2024年7月30日。 专利摘要:一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:1)给定器件的工艺参数;2)提取电容_电压关系曲线相关参数...
一种改进的ASM-HEMT GaN器件大信号模型的建立方法.pdf,本发明公开了一种改进的ASM‑HEMTGaN器件大信号模型的建立方法,基于物理基ASM‑HEMT模型,对宽禁带半导体射频GaNHEMT提出一种改进的直流特性模型,考虑到漏源电压(Vds)、栅源电压(Vgs)对输出特性曲线低漏源电压处
一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法说明:一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:1)给定器件的工艺参数;...专利查询请上爱企查
一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于ASM模型的GaNHEMT的参数提取方法说明:本申请公开了一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法、装置及计算机可读存储介质。包括:设定...专利查询请上爱企查