综上所述,得出如下结论: 当ARM指令放在RAM中运行时,指令“str r0,[r1,#4]”和指令“strr0,[r1,#0xc]”均需350 ns左右,相当于14个指令周期;指令“ldr r0,0x4000012c”的执行时间为100 ns,相当于4个指令周期;MUL乘法指令和MOV传送指令共占用100ns,相当于4个指令周期;跳转指令共占用100 ns,相当于4个指令...
为什么内存指令在ARM汇编中需要4个周期? 、、、 ldr、str或b等内存指令在ARM组件中各占用4个周期。 是不是因为每个内存位置都是4字节长? 浏览7提问于2017-01-11得票数2 回答已采纳 1回答 霓虹灯VLD消耗的周期比预期的要多? 、、、 我有一个简单的asm代码,它加载了12个四寄存器的霓虹灯,并与加载指令并...
3、LDR指令需要增加2个总线周期。同理,如果地址位于内部SRAM,则是3个周期;如果地址在外设总线上,同样需要再增加一些周期数,在LPC213x/214x上,当VPB和主频相同时,LDR指令需要8个周期。 4、对于一次操作多个寄存器的STM、LDM类指令,指令周期数与STR、LDR类似,但每增加一个寄存器需要增加一个总线周期,例如当地址位于...
LPC213x/214x 上,当VPB 和主频相同时,需要再增加5 个周期额外延时,即用STR 指令访问外设寄存器需要7 个期。3、LDR 指令需要增加2 个总线周期。同理,如果地址位于内部SRAM,则是3 个周期;如果地址在外设总线上,同样需要再增加一些周期数,在LPC213x/214x 上,当VPB 和主频相同时,LDR 指令需要8 个周期。4、...
ldr指令流水线分为五级: 取指(F)->解码(D)->执行(E)->访存(M)->写回(W) 说明: 访存:CPU核寻找外设地址。 写回:CPU核一旦找到了外设地址,将外设的数据加载到CPU核中。 注意:ARM7的ldr指令在M和W的时候,跟在其后的两条指令的处理需要延后两个指令周期。
ARM汇编特点1:LDR/STR架构 ARM采用RISC架构,CPU本身不能直接读取内存,而需要先将内存中内容加载入CPU中通用寄存器中才能被CPU处理。 ldr(load register)指令将内存内容加载入通用寄存器。 str(store register)指令将寄存器内容存入内存空间中。 ldr/str组合用来实现 ARM CPU和内存数据交换 ...
指令和伪指令:前者编译后会生成一串1和0组成的机器码,后者帮助前者进行编译过程,不会生成机器码。 ARM汇编特点1:LDR/STR架构 ARM采用RISC架构,CPU本身不能直接读取内存,而需要先将内存中内容加载入CPU中通用寄存器中才能被CPU处理。 ldr(load register)指令将内存内容加载入通用寄存器。
3、LDR指令需要增加2个总线周期。同理,如果地址位于内部SRAM,那么是3个 周期;如果地址在外设总线上,同样需要再增加一些周期数,在LPC213x/214x 上,当VPB和主频相同时,LDR指令需要8个周期。 4、对于一次操作多个寄存器的STM、LDM类指令,指令周期数与STR、LDR类似, 但每增加一个寄存器需要增加一个总线周期,例如当...