1.在系统开始时,将Flash ROM 的映射属性设置为uncache和unbuffer.参考Windows CE的Source Code 2.连接时的数据段,代码段的地址是否正确.参考blob 3.数据段和bss段是已经初始化正确.参考blob 4.如果还是失败,初始化代码用Multi ICE 拷贝到 SDRAM中直接调试运行。 注意: 1.最好不要使用ARM 提供的集成开发环境 2...
EN本文主要为嵌入式入门开发者的接口、网口等板卡基础快速测试，当初级学习的开发者拿到板卡，如何在最快时间内测试板卡正常？继续测试教程（1）的系统启动、文件传送、LED等测试部分，接下来是测试板卡的按键、时钟设置、DDR读写、Micro SD接口读写、eMMC读写测试等基础性能、功能是否正常。
在这里,随意读命令和随意写命令可以实现在一页内任意地址地读写。读状态命令可以实现读取设备内的状态寄存器,通过该命令可以获知写操作或擦除操作是否完成(判断第6位),以及是否成功完成(判断第0位)。 引脚配置: OM[1:0] = 00: Enable NAND flash memory boot ...
是一块lpc2388的芯片(arm7),开始总是抱着一arm11的flash读写的方式去看数据手册。看了好长时间都没有一个很好的解决方发。后来我在keil的库文件中找到:flash的写入方式。如下://C:\Keil\ARM\Flash\LPC2888\FlashPr狱荒锅赠斟疏坠赣车躇骆彻艳州涤砰昆贺巨仔蓑丸钱缝奎吵杀篆英胖只星孵靳佰肥乖嘿熬...
联合体 typedef union { unsigned long int l;unsigned char c[4];} 通过l去读,通过c去取某一个字节
根据寻址空间，把外部存储器连接在对应的地址线上，可以直接访问 芯片
实测波形，发现spi flash输出的信号和ARM读到的数据是匹配的，也就是说，现在读到的数据错误，flash输出...
虽然读写过程可以不从页边界开始,但在正式场合下还是建议从页边界开始读写至页结束。下面通过分析读取页的代码,阐述读过程。 static void ReadPage(U32 addr, U8 *buf) //addr表示flash中的第几页,即‘flash地址>>9’ { U16 i; NFChipEn(); //使能NandFlash ...
问题描述:我用LM3S(Cortex-M3) 系列单片机的EPI 接口读写2片NorFlash。采用 主机总线模式(x16), ALE + 双CSn配置。写入地址范围6000000-6FFFFFF。整个地址范围内,只有其中一片Flash被写入数据。 初始化配置代码如下: void EPIPinConfig(void) { SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_EPI0); //使能...
重启评估板,进入文件系统, 执行如下命令对 SPI FLASH 进行读速度测试。Target# time dd if=/dev/mtd3 of=/dev/null bs=1024k count=20图37 测试从 SPI FLASH 的 MTD3 分区读取 20MByte 数据, 可看到本次测试的 SPI FLASH 读 速度约为: 20/1.032=19.38MB/s。1.9...