光学工程硕士,从事自动光学检测AOI的设备研发 各个工艺节点和光刻技术的关系表 | 光刻过程的光波长:g线: 436nmi线: 365nmKrF: 248nmArF: 193nmEUV: 13.5nm 发布于 2024-04-02 17:19・IP 属地广东 赞同2 分享收藏 写下你的评论... 还没有评论,发表第一个评论吧登录知乎,您可以享受以...
中国ArF和KrF光刻胶生态系统正在崛起 | 芯闻简讯|中国ArF和KrF高纯度光刻胶生态系统正在崛起高纯度光刻胶对于在先进生产节点上制造芯片至关重要。媒体报道,2024年中国在光刻胶开发方面取得了显著进展,这得益于政府倡议和本土芯片制造商不断增长的需求。半导体光刻胶按曝光波长分类,包括宽带紫外(300-450nm)、g线(43...