APT6060BN-BUTT 规格参数 生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82 外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):13 A 最大漏源导通电阻:0.6 ΩFET 技术:METAL-OX
APT6060DN ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | CHIP 获取价格 APT6070AN ADPOW N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 获取价格 APT6070BN ADPOW Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconduct...
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