型号 AP4435GYT-HF 货号 0 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动...
AP4435GYT-HF-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。它具有低漏源电压和低导通电阻的特性,适用于需要高效能量转换和电源管理的电子电路设计。 ### 二、详细的参数说明 - **型号**:AP4435GYT-HF-VB- **封装**:DFN8(3X3)- **配置**:单P沟道- **漏源电压 (VDS)**:-30V- **栅源电压 (VGS...
深圳市萌盛微电子有限公司现货供应AP4435GYT-HF,品牌是MSV/萌盛微,封装是DFN33。萌盛微电子主要经营三极管、二极管、滤波器,品牌有MSV/萌盛微、NXP/恩智浦、LRC/乐山无线电、ON/安森美、TOSHIBA/东芝等。 交易说明 AP4435GYT-HF,AP4435GYT-HF DFN33,萌盛微AP4435GYT-HF,MSV AP4435GYT-HF...
商品型号 AP4435GYT-HF-VB 商品编号 C19711195 商品封装 QFN-8L(3x3) 包装方式 编带 商品毛重 0.075克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 属性参数值 连续漏极电流(Id)45A ...
电子元件查询网查出的ap4435gyt-hf资料有ap4435gyt-hf pdf和ap4435gyt-hf datasheet,有多个芯片厂家的清晰datasheet资料,方便工程师快速阅读。
型号:AP4435GYT-HF-VB 商品编号: 封装规格:QFN8(3X3) 商品描述:台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-45A,RDS(ON),11mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.23Vth(V) 封装:QFN8(3X3)采用沟道工艺技术制造,具有优异的性能和稳定性。适用于多种电路应用,能够提供可靠的功率控制和保护。