AP2625GY 概述 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET P沟道增强型功率MOSFET 功率场效应晶体管 AP2625GY 规格参数 生命周期: Contact Manufacturer 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 针数: 6 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99
AP2625GY.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 SOT23-6 FET类型 P+P-Channel Pd-功率耗散(Max) 1.4W 栅极电压Vgs ±12V Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@-4.5V 漏源极...
此外,该产品支持12Vgs(±V)的驱动电压范围,其阈值电压范围为-1.2~-2.2V。 AP2625GY MOS管采用紧凑的SOT23-6封装,为各种电路设计提供了高度的灵活性和集成性。它在多个领域都具有广泛的应用。在功率放大、开关电源和电流驱动等领域,AP2625GY MOS管可以发挥其优越的电性能,实现高效能源转换。在音频放大器模块中,该...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 电子元器件、 MOS管、 场效应管、 AP2625GY、 VB、 半导体 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): -20V 连续漏极电流(Id): -4 功率(Pd): 1.4W 导通电阻: 65mΩ@4.5V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id): ...
部件名AP2625GY 下载AP2625GY下载 文件大小96.12 Kbytes 页5 Pages 制造商A-POWER [Advanced Power Electronics Corp.] 网页http://www.a-power.com.tw 标志 功能描述P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 类似零件编号 - AP2625GY 制造商部件名数据表功能描述 ...
部件名AP2625GY 下载AP2625GY下载 文件大小96.12 Kbytes 页5 Pages 制造商A-POWER [Advanced Power Electronics Corp.] 网页http://www.a-power.com.tw 标志 功能描述P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 类似零件编号 - AP2625GY 制造商部件名数据表功能描述 ...
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00:00/00:00 AP2625GY一款SOT23-6封装MOSFET替代型号参数讲解与应用领域分析 VBsemi微碧半导体 +订阅 发布于:广东省2023.09.28 09:40 +1 首赞 2个P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V);SOT23-6
AP2625GYAP2626GY SOT23-6 APEC/富鼎 现货供应一系列MOS管 深圳市承晓电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥14.85 MX25U8032EMI-12G 深圳市四海恒创科技有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3.21 PL4000B SSOP-24 LT3481EDD#TRPBF LT8636EV LT8625SPJV-1#TRPBF ...