AP2312GN-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。主要参数包括工作电压20V、电流承受能力6A、导通电阻RDS(ON)=24mΩ(在VGS=4.5V,VGS=8V时)、阈值电压Vth范围为0.45~1V。 这款MOSFET适用于高性能开关和放大的电路设计。在电源管理、电池管理、DC-DC转换器等领域中,AP2312GN-VB可以用于提高系统的...
联系我们 品牌 APM 封装 SOT-23-3L 批号 20+ 数量 50000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 125C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 7V 长度 2.7mm 宽度 3.9mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 AP2312MI 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 AP2312MI 商品图片 商品参数 品牌: 永源微 数量: 50000 批号: 22+ 封装: SOT23-3L 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发...
永源微授权一级代理商 AP2312AI 20V N沟道增强型MOSFET 描述: AP2312AI采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作 该器件适用于用作电池保护器或其他开关应用 特征: VDS = 20V ID =6.8A RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=4.5V (Type:12mΩ) 应用: 锂电池保护 无线冲击 手机快...
品牌名称ALLPOWER(铨力) 商品型号 AP2312 商品编号 C360339 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.05克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)5A 导通电阻(RDS(on))32mΩ@4.5V,5A ...
AP2312由ALLPOWER设计生产。AP2312封装/规格:配置/单路:阈值电压/1V:功率耗散/350mW:额定功率/350mW:反向传输电容Crss/55pF:栅极源极击穿电压/±8V:击穿电压/20V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.15mm:长x宽/尺寸/3.00 x 1.40mm:原产国家/China:原始制造商...
AP2312GN-VB 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star收藏商品 数量国内价格 10+￥0.20240 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4-5工作日 库存: 1450000(10起订) 191(10起订) 数量: X0.2024(单价) 总价: ￥ 2.024 商品详情 商品介绍 台积电流片,长电封测。20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vg...
在淘宝,您不仅能发现原装AP2312全新正品/MOSFETs SOT-23 Single N-Channel的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于原装AP2312全新正品/MOSFETs SOT-23 Single N-Channel的信息,请来淘宝深入了解吧!
AP2312 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star 收藏商品 MOSFETs ALLPOWER AP2312 询价 品牌:ALLPOWER(铨力) 型号: AP2312 商品编号: DS0182332 封装规格: SOT-23 商品描述: SOT-23 20V 18mΩ(Typ)@4.5V 5A 3000/盘 EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 AP2312AI、 APM(永源微电子)、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: APM(永源微电子) 封装: SOT-23 数量: 3000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 2.5...