联系我们 品牌 APM 封装 SOT-23-3L 批号 20+ 数量 50000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 125C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 7V 长度 2.7mm 宽度 3.9mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 AP2312MI 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的...
AP2312GN-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。主要参数包括工作电压20V、电流承受能力6A、导通电阻RDS(ON)=24mΩ(在VGS=4.5V,VGS=8V时)、阈值电压Vth范围为0.45~1V。 这款MOSFET适用于高性能开关和放大的电路设计。在电源管理、电池管理、DC-DC转换器等领域中,AP2312GN-VB可以用于提高系统的...
永源微授权一级代理商 AP2312AI 20V N沟道增强型MOSFET 描述: AP2312AI采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作 该器件适用于用作电池保护器或其他开关应用 特征: VDS = 20V ID =6.8A RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=4.5V (Type:12mΩ) 应用: 锂电池保护 无线冲击 手机快...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 AP2312MI 商品图片 商品参数 品牌: 永源微 数量: 50000 批号: 22+ 封装: SOT23-3L 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发...
品牌名称ALLPOWER(铨力) 商品型号 AP2312 商品编号 C360339 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.05克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)5A 导通电阻(RDS(on))32mΩ@4.5V,5A ...
AP2312由ALLPOWER设计生产。AP2312封装/规格:配置/单路:阈值电压/1V:功率耗散/350mW:额定功率/350mW:反向传输电容Crss/55pF:栅极源极击穿电压/±8V:击穿电压/20V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.15mm:长x宽/尺寸/3.00 x 1.40mm:原产国家/China:原始制造商...
WW-AP2312-100 Adopt aviation aluminum 6063-T5, outstanding heat dissipation performance. Mist diffused PC cover, even and soft illumination. All plastic materials are made of fireproof materials. High quality surface finish with silver. Basic Parameter ...
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AP2312 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star 收藏商品 MOSFETs ALLPOWER AP2312 询价 品牌:ALLPOWER(铨力) 型号: AP2312 商品编号: DS0182332 封装规格: SOT-23 商品描述: SOT-23 20V 18mΩ(Typ)@4.5V 5A 3000/盘 EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 ...
AP2312N-VB是一款N-沟道场效应管,具有优越的电气性能,适用于多种应用场景。 **主要特点:** 1. **高性能:** 具备较低的导通电阻和高电流承载能力。 2. **宽工作电压范围:** 在20V的工作电压范围内表现卓越。 3. **封装紧凑:** 采用SOT23封装,适合空间有限的应用场景。