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AP2301GN场效应管工作原理是基于其P通道构造。当适当电压增至网格极时，造成电场，推动P通道区域的导电通道。依据网格电压的操纵，操纵导电通道导电率，从而实现对电流精准控制。这种特殊的P通道构造赋予AP2301GN独特的工作特点，并广泛应用于电子领域。2. 实际应用场景 电源管理系统在电池管理中，AP2301GN工作原理使之...
AP2301GN参数的详细解读对于理解该场效应管的性能至关重要。P沟道漏源电压为20V,连续漏极电流可达5A,导通电阻在4.5V、5A时仅为43mΩ。这些技术规格使得AP2301GN成为电子元器件的首选。其稳定性和高性能使得方案工程师和技术人员能够在各种电路设计中灵活应用,满足不同应用场景的需求。
AP2301GN场效应管工作原理是基于其P通道构造。当适当电压增至网格极时,造成电场,推动P通道区域的导电通道。依据网格电压的操纵,操纵导电通道导电率,从而实现对电流精准控制。这种特殊的P通道构造赋予AP2301GN独特的工作特点,并广泛应用于电子领域。 2. 实际应用场景 ...
AP2301GN 由APEC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AP2301GN 价格参考￥ 0.44385 。 APEC AP2301GN 封装/规格: SOT-23, p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23。你可以下载 AP2301GN 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能...
AP2301GN-HF-VB是VBsemi品牌的SOT23封装型号,具体参数如下: - 丝印: VB2290- 品牌: VBsemi- 参数: - 沟道类型: P—Channel - 最大工作电压: -20V - 最大漏极电流: -4A - 开启电阻: RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V - 阈值电压: Vth=-0.81V 适用封装为SOT23。 **应用简介:** AP2301GN-HF-VB...
AP2301GN是一款P沟道功率MOSFET,具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)为57mΩ @ 4.5V,83mΩ @ 2.5V,门源电压范围为±12V,门源阈值电压为-0.81V,封装类型为SOT23。 应用领域: AP2301GN(VB2290)适用于多种领域和应用场景,特别适用于需要P沟道功率MOSFET的电路。