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AP2301GN场效应管工作原理是基于其P通道构造。当适当电压增至网格极时,造成电场,推动P通道区域的导电通道。依据网格电压的操纵,操纵导电通道导电率,从而实现对电流精准控制。这种特殊的P通道构造赋予AP2301GN独特的工作特点,并广泛应用于电子领域。2. 实际应用场景 电源管理系统在电池管理中,AP2301GN工作原理使之...
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总之,兆信半导体(MXsemi)的AP2301GN场效应管以独特的特性和卓越的性能,变成电子元件行业不可忽视的存在。通过对产品优势、技术规格参数以及原理和运用的深入解读,深入了解AP2301GN在多上的优势。一般来说,AP2301GN的出色表现不仅体现在产品本身的特点上,也为解决方案工程师、技术人员和制造购置提供了可靠的解决方案。...
AP2301GN是一款P沟道功率MOSFET,具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)为57mΩ @ 4.5V,83mΩ @ 2.5V,门源电压范围为±12V,门源阈值电压为-0.81V,封装类型为SOT23。 应用领域: AP2301GN(VB2290)适用于多种领域和应用场景,特别适用于需要P沟道功率MOSFET的电路。
AP2301GN场效应管工作原理是基于其P通道构造。当适当电压增至网格极时,造成电场,推动P通道区域的导电通道。依据网格电压的操纵,操纵导电通道导电率,从而实现对电流精准控制。这种特殊的P通道构造赋予AP2301GN独特的工作特点,并广泛应用于电子领域。 2. 实际应用场景 ...
AP2301GN参数的详细解读对于理解该场效应管的性能至关重要。P沟道漏源电压为20V,连续漏极电流可达5A,导通电阻在4.5V、5A时仅为43mΩ。这些技术规格使得AP2301GN成为电子元器件的首选。其稳定性和高性能使得方案工程师和技术人员能够在各种电路设计中灵活应用,满足不同应用场景的需求。
交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):立即发货 库存: 0(1起订) 批次: - 数量: X0.44385(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ¥ 0.44385 品牌:APEC(富鼎) 型号:AP2301GN 商品编号:DS0188937 封装规格:SOT-23 商品描述:p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23 ...
用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 BBK/步步高 颜色分类 AP2301G,AP2301GN 图文详情 0 本店推荐 0.5K-AS-10PWB/0.5K-AS-12PWB/0.5K-AS-13PWB ¥0.39 0022052031/0022052051/0022052071 ¥3.95 0805J0100151GCT/0805J0100151JXR/0805J0100151KCR ¥1.14 0002066135/0002066144/...