型号 AP0504GMT-HF-VB 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 40V 连续漏极电流(Id) 75A 导通电阻 4.7mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.9V 封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 FE...
型号 AP0504GMT 技术参数 品牌: APEC/富鼎 型号: AP0504GMT 封装: DFN5*6 批号: 24+ 数量: 425000 RoHS: YES 产品种类: 电子元器件 最小温度: -40C 最大温度: 120C 技术: Si 制造商: APEC/富鼎 安装风格: SMD/SMT 长度: 7.2mm 宽度: 5.1mm 高度: 2mm 单位重量: 29mg 可售卖地: 全国 价格...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号AP0504GMT-HF-VB 商品编号C7463678 商品封装QFN8(5X6) 包装方式 编带 商品毛重 0.168克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 40V 连续漏极电流(Id) 70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) - 功...
型号 AP0504GMT-HF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...
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AP0504GMT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BV DSS40V SO-8 Compatible with Heatsink R DS(ON) 5.5m Low On-resistance I D 75A RoHS Compliant & Halogen-Free Description Absolute Maximum Ratings Symbol Units V DS V V GS V I D@T C=25A I D@T A=25A I...
AP0504GMT Type MOSFET Brand Name YMX Package Type Surface Mount Other attributes Place of Origin Guangdong, China Package / Case 1 Application Microphone Supplier Type original manufacturer, agency, retailer, Other Media Available datasheet, Photo, EDA/CAD Models, Other Brand MOS Current - Collect...
立创商城提供VBsemi(微碧半导体)的场效应管(MOSFET)AP0504GMT-VB中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购AP0504GMT-VB上立创商城
参数信息 品牌 year 颜色分类 AP050N03Q,AP0504GH-HF,AP0504GMT 图文详情 0 本店推荐 100SP5T1B1M1QEH/100SP5T1B1M2QEH/100SP5T2B4M6RE ¥26.59 订货专用链接,不退不换! ¥176 170308-1/170308-3/1703081-1 ¥0.52 826951-3/826953-2/826953-3 ¥1.2 MGM12P22F1024GE-V2R ¥156 164170-...
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