型号 AP4550SM2PWFV6MV6 ●用于半导体等洁净产业的UHP气体排放●用作气体断流阀●接气部不使用弹簧,驱动部也与隔膜隔离在流量路径中的死角很小从而抑制发尘 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线...
AP4500GM-HF 规格参数 生命周期: Contact Manufacturer 包装说明: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 风险等级: 5.18 配置: SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 20 V 最大漏极电流 (ID): 6 A 最...
技展电源ap-4500 更新时间:2024年11月28日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 实力供应商 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 ￥950.00/件 广东深圳 EA-PS 9750-04 2U 19“ 2U 1000W 实验室电源 EA品牌 深圳市吉银国际贸易有限公司 3年 查看详情 ￥1311.00/台 北京 优利德UTP3303-II/UTP...
输入EQ:31段参量均衡 输入噪声门:启控时间1~2895ms、释放时间1~2895ms、启控电平-120dBu~-60dBu DSP矩阵:4*4矩阵 输出EQ:10段参量均衡 分频: Butterworth、Bessel、Linkwitz斜率6~24 延时: 输入4*80ms,输出 20ms; 输出压缩器:软拐点、启控电平、启控时间、压缩比、释放时间 ...
AP4500GM-VB 是一款双N+P沟道MOSFET,采用SOP8封装。它结合了高性能的导通特性和广泛的应用适用性,适合于要求高效能和可靠性的电路设计。 ### AP4500GM-VB 详细参数说明 - **封装类型**:SOP8 - **配置**:双N+P沟道 - **漏源极电压 (VDS)**:±20V ...
AP4500GM 贴片 SOP-8 丝印 MOSFET场效应管 增强型芯片微碧 深圳市微碧半导体有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.30 工厂直销AP4500GM-HF 4500GM N/6A P/5A 封装SOP-8 N+P沟道MOS管 深圳东为电子科技有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥...
AP4500M-VB是一款双N+P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Dual N+P-Channel MOSFET),采用SOP8封装。它结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势,适用于需要同时控制正负电压的电路设计,具有良好的导通特性和功率管理能力。 ### 详细参数说明 - **型号**:AP4500M-VB ...
AP4500GM Pb Free Plating Product ±1220Parameter 200609031 Thermal Data 204.86The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.The SO-8 package is universally preferred for all ...
品牌/型号:富鼎/AP4500GM-HF SOP-8 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 品牌:富鼎 型号:AP4500GM-HF SOP-8 ⊙ 全系列场效应管,MOSFET: AO3400 AO4824 AO4420 AO7405 AO3401 AO4826A AO4422 AO7407 AO3402 AO4900 AO4600 AO8403 AO3403 AO4902 AO4601 AO8700 AO3404 AO4904 AO4602 AO8701 AO3406 AO...
部件名: AP4500GM. 下载. 文件大小: 94Kbytes. 页: 7 Pages. 功能描述: N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. 制造商: Advanced Power Electronics Corp..