MOS管AO4406参数 PD最大耗散功率:3WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:14MΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.8~1.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:5SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:10A ...
二、参数特点 1. 低导通电阻:AO4406具有低导通电阻,能够实现低功耗和高效能的电路设计。 2. 高开关速度:AO4406具有快速的开关速度,能够实现快速响应和高频率的开关控制,适用于高性能电子设备。 3. 低门电荷:采用低门电荷设计的AO4406减少了驱动电路的功耗,并提高了电路的稳定性和可靠性。 4. 宽工作温度范围:AO...
AO4406-AO4406参数|AO4406规格书|AO4406封装引脚图 MOS管 AO4406产品概述 AO4406采用先进的沟槽技术提供优秀的RDS(ON),低门电荷和在低至2.5伏的栅极电压下工作。该装置是一个优秀的高压侧开关,用于笔记本电脑CPU核心DC-DC转换。 MOS管 AO4406产品参数 MOS管 AO4406封装引脚图 MOS管 AO4406产品规格书 查看及下载...
AO4406A的技术参数显示了它在电子领域的出色表现。做为N沟场效应管，其走电电压(Vdss)持续漏极电流为30V(Id)做到13A，功率(Pd)保证2.2W，而导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅是8mΩ@10V。这一性能指标促使AO406A变成电路原理中的理想选择。对这些参数的深入解读，能够更好的了解与评价AO4406A实际应用中的性能。...
爱企查为您提供AO4406AL AOS SOP8 24+ 电子元器件 处理器 半导体参数,深圳市博金凯科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。电子元器件;电子元器件批发;电子元器件行情报价;电子元器件价格;电子元器件底价;电子元器件图片;电子元器件厂家;电子元器件生产厂
型号 AO4406A 技术参数 品牌: AOS/万代 型号: AO4406A 封装: Bulk 批号: 2023 数量: 4991 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧...
找AO4406规格参数技术文档,厂家,现货等,上阿里巴巴IC专业市场。为你找到571条AO4406型号,品牌,封装,批号,价格,图片等信息,批发采购AO4406,上阿里巴巴1688 IC频道。
参数规格 商品分类MOS(场效应管) 品牌 UDF/优迪 封装 SOP-8 找到类似型号0条查看类似型号 数据手册 AO4406 由 UDF/优迪 设计生产,华强电子网国产品牌站提供AO4406相关产品信息及供货商联系方式。UDF/优迪 AO4406 封装/规格:SOP-8 , MOS(场效应管)UDF/优迪AO4406。您可以在 MOS(场效应管) AO4406 规格书,Da...
AO4406AO4406A贴片SOP8参数大芯片场效应沟道MOSFET集成电路(IC) AO4406AO4406A贴片SOP8足参数大芯片场效应管N沟道MOSFET 风格: 贴片 SOP8 参数 片场 效应 沟道 MOSFET