厂家直销MOS场效应管3400AO3400丝印A09T N沟道 30V 5.8A SOT23 深圳市煜拓技术有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.04成交1287234PCS AO3400A09T SOT-23MOS管场效应 3400 台产大电流三极管AO3400A 深圳市特锐达电子有限公司8年 ...
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AO3400场效应管是一颗N沟道增强型MOSFET，其主要参数包括但不限于：1. 最大漏极电流（ID）：根据数据手册，AO3400能够承受的最大漏极电流通常在5.8A。2. 输入电容（Ciss）：这是场效应管在栅极到源极之间存储电荷的能力，AO3400的输入电容一般在几百皮法拉（pF）的量级。3. 导通电阻（RDS(on)）：在导通状...
型号 AO3400 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端...
AO3400在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为28mΩ,是一款N沟道低压MOS管。AO3400的最大脉冲正向电流ISM为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400功耗(PD)为1.4W。AO3400的电性参数是:正向电流(Io)为5.8A,漏极-源极击穿电压为30V,二极管正向电压(VSD)...
方案工程师、技术人员以及制造企业的采购员都认识到AO3400在电子领域的功效，并为电子产品增添了关键的运用。通过对这些特征的简述，我们为读者树立起AO3400的整体形象。二、技术规格参数 针对方案工程师和技术人员而言，充分了解AO3400的技术参数至关重要。AO3400变量值包含P沟漏源电压、持续漏极电流、功率和导电阻。...
ao3400mos管参数特性: 1.低功耗,超低电压(vcc) 2.高速传输速率 (最高达20mhz) 3.快速开关时间(nsec),极低的电流消耗 4.高输入阻抗 5.宽工作温度范围(-55°C至+125°C) 6.可提供单电源供电和双电源供电 7.支持热插拔 8.支持远程唤醒 9.内置的过压保护 10.内置的温度补偿电路 11.具...
AO3400参数描述 型号:AO3400 封装:SOT-23 电性参数:5.8A 30V 漏源电压(Vds):30v 栅源电压(Vgs):±12v 连续漏极电流(Id 25°C):5.8A 连续漏极电流(Id 70℃):4.9A 功率损耗(PD25℃):1.4W 功率损耗(PD70℃):0.9W 结点和存储温度范围(温度范围):-55~150℃ ...
ao3400中文资料 ao3400晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
AO3400场效应管参数 AO3400是一种N沟道场效应管,常用于DC-DC转换器、LED驱动器、移动电源等领域。它的主要参数如下: 最大漏极电压:30V 额定漏极电流:5A 静态漏极电阻:25mΩ 开关时间:6ns 工作温度范围:-55℃~150℃ 封装方式:SOT23 AO3400与AO3400a区别 ...