解析 C【分析】本题考查的是提公因式,公式法分解因式,先逐一把每个多项式分解因式,再确定答案即可.【详解】解:10am-15a=5a(2m-3),4m^2-9=(2m+3)(2m-3),4m^2-12m+9=(2m-3)^2,-4m^2-9=-(4m^2+9);∴含有因式 2m-3 的有①②③;故选C ...
型号: FDD120AN15A0 批号: 19+ 封装: DPAK-3 / TO-252-3 数量: 90000 QQ: 355623059 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 14 A ...
型号: FDP047AN08A0 封装: NA 批号: 18+ROHS 数量: 6000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 75 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms Vgs ...
解析 (1)am+an=a(m+n).(2)xy+ay-by=y(x+a-b).(3)15a^3b^2+5a^2b=5a^2b(3ab+1).(4)8a^3b^2-12ab^3c+4ab^2=4ab^2(2a^2-3bc+1).(5)-4a^3+16a^2-24a=-4a(a^2-4a+6).(6)2(x-y)^3+4(y-x)^2=2(x-y)^3+4(x-y)^2=2(x-y)^2(x-y+2)....
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XD015H135AYT1S3 /XD015H135AN1S3电磁炉IGBT（ 15A /1350V）特点：Trench Field-Stop Technology IGBTFeatures ◼ 1350V, 15A ◼ VCE(sat)(typ.) =2.3V@VGE=15V, IC=15A ◼ Low Switching Losses ◼ VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient ◼ Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant...
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KEY DLMAC3 15A浮球液位开关KEY-5 KEY电缆浮球开关采用意大利MAC3公司技术生产的KEY浮动开关,是利用重力与浮力的原理设计而成,结构简单而合理,主要包括浮漂体,设置在浮漂体内的大容量微型开关和能将开关处于通,断状态的驱动机构,以及与开关相连的三芯电缆。该产品的显著特点是性能稳定可靠(不因液面的波动而引起误...
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An improvement of method TO-15A, aided by heart-cutting multidimensional gas chromatography, for the analysis of C2-C12 hydrocarbons in atmospheric samplesGas chromatographyHeart-cutting gas chromatographyHydrocarbon speciationVolatile organic compounds2022 Elsevier B.V.Gas chromatography (GC) determination of...