在本次评选中,三安半导体的1200V/16m SiC MOSFET AMS1200016B凭借出色的技术表现和广阔的市场前景,成功入围“2024中国汽车芯片创新成果-功率类”奖项。 这款SiC MOSFET产品在关键技术参数上达到了国际先进水平,包括: 阈值电压(Vth):提升了器件的抗干扰能力; 导通电阻(Rdson):实现更低的功率损耗; 击穿电压(BV):提供...