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AMP 200N 是一台低频信号源,能够产生正弦信号,用于模拟纹波噪声和地偏移噪声,符合汽车领域的多种标准要求,如 Ford EMC-CS-2009.1 标准 CI 210,CI 250,RI 150 等。AMP 200N 由 EM TEST AutoWave 进行控制,也可以产生非正弦信号和定制信号。
AMP 200N 是一台低频信号源,能够产生正弦信号,用于模拟纹波噪声和地偏移噪声,符合汽车领域的多种标准要求,如 Ford EMC-CS-2009.1 标准 CI 210,CI 250,RI 150 等。AMP 200N 由 EM TEST AutoWave 进行控制,也可以产生非正弦信号和定制信号。
AMP 200N2 是一台低频信号放大器,能够产生正弦信号,用于模拟纹波噪声,可以由 EM TEST NetWave 控制以满足电动车领域标准要求(如LV 123、ISO 7637-4脉冲C)
NextPower 100 V, 2.6 mOhm, 200 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package electrothermal model NextPower 100 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for industrial and consumer applications. Download datasheet ...
Bussmann 200NHG1B-690 - Nh Fuse 200 Amp 690V Gg Size 1 Write a Review Ask a Question "Oh thank you so much, Cindy, for doing EXACTLY as you said that you would do. WOW, we just don�t have this happen very often. YOUR conscientiousness and attention to truly following ...
部件名: SFF220-28. 功能描述: 5 AMP 200 Volts 0.8OHM N-Channel POWER MOSFET. Page: 2. 制造商: Solid States Devices, Inc.
部件名: SFF250-61. 功能描述: 30 AMP 200 Volts 0.085OHM N-Channel POWER MOSFET. Page: 2. 制造商: Solid States Devices, Inc.
CS18N 可控硅整流器 1.0 AMP , 200 THRU 800伏 中央 TM 半导体公司 描述: 中央半导体CS18B系列 类型是密封的硅可控 在TO- 18的情况下制造整流器,设计 为控制系统和感应电路 应用程序。 标识代码:全型号 TO- 18 CASE 最大额定值: ( TA = 25° C除非另有说明) ...
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