商品型号 AM30N10-70D-T1-PF-VB 商品编号 C557936 商品封装 TO-252-2 包装方式 编带 商品毛重 0.49克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)40A 导通电阻(RDS(on))- ...
AM30N10-70D-T1-PF.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 TO252 FET类型 N-Channel Pd-功率耗散(Max) 107W 栅极电压Vgs ±20V Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@10V 漏源...
AM30N10-70D-T1-PF是一款高性能的N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,适用于电源管理、开关应用和其他高效率电路设计。这款MOSFET具有以下主要特点: 1. TrenchFET技术:AM30N10-70D-T1-PF采用TrenchFET结构,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上创建深沟槽来减小导通电阻(RDS(on)),从而提高开关效率和降低功耗。 2. ...
共9554件 am30n10-70d 相关产品 所有类目 实力商家 买家保障 进口货源 支持支付宝 材质保障 综合 销量 价格 确定 起订量 以下 确定 所有地区 所有地区 采购距离: 江浙沪 华东区 华南区 华中区 华北区 海外 北京 上海 天津 重庆 广东 浙江 江苏 山东 河北 河南 福建 辽宁 安徽 广西 山西 海南 ...
品牌名称JSMSEMI(杰盛微) 商品型号 AM30N10-70D-T1-PF-JSM 商品编号 C18190289 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)36A ...
AM30N10-70D-T1-PF 由JSMSEMI/杰盛微 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AM30N10-70D-T1-PF 价格参考￥ 1.7547 。 JSMSEMI/杰盛微 AM30N10-70D-T1-PF 封装/规格: TO-252(DPAK), N沟道,100V,40A,30mΩ@10V。你可以下载 AM30N10-70D-T1-PF 中文资料、引脚图、Datashee...
10Am27C020AC CHARACTERISTICSCaution: Do not remove the device from (or insert it into) a socket or board that has VPP or VCC applied.Notes:1. VCC must be applied simultaneously or before VPP, and removed simultaneously or after VPP.2. This parameter is s
部件名AM29LV400BB-70DWC1 功能描述4Megabit(512K x8-Bit/256K x16-Bit)CMOS3.0Volt-only,BootSectorFlashMemory Download14 Pages Scroll/Zoom 100% 制造商AMD [Advanced Micro Devices] 网页http://www.amd.com 标志 类似零件编号 - AM29LV400BB-70DWC1 ...
型号 AM1812B1255 技术参数 品牌: AEI 型号: AM1812B1255 封装: SMD-10(3x3) 批号: 新年份 数量: 36600 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 9V 长度: 6.9mm 宽度: 7.2mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
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