商品型号 AM30N10-70D-T1-PF-VB 商品编号 C557936 商品封装 TO-252-2 包装方式 编带 商品毛重 0.49克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)40A 导通电阻(RDS(on))- ...
AM30N10-70D-T1-PF是一款高性能的N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,适用于电源管理、开关应用和其他高效率电路设计。这款MOSFET具有以下主要特点: 1. TrenchFET技术:AM30N10-70D-T1-PF采用TrenchFET结构,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上创建深沟槽来减小导通电阻(RDS(on)),从而提高开关效率和降低功耗。 2. ...
型号AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印VBE1104N品牌VBsemi 参数说明 类型N沟道MOSFET 工作电压 100V 额定电流 40A 开通电阻 30mΩ(10V)、31mΩ(4.5V) 门源电压范围 ±20V 阈值电压 1.8V 封装TO252 应用简介 AM30N10-70D-T1-PF-VB是一款高压、高电流的N沟道MOSFET。它适用于高频开关电源、电机驱动器、电池管理...
功率MOSFET TO252 N-Channel 107W ±20V 30mΩ@10V 100V 40A 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号AM30N10-70D-T1-PF 制造商VBsemi(微碧半导体) 授权代理品牌 唯样编号A3-AM30N10-70D-T1-PF 供货严选 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs ...
品牌名称JSMSEMI(杰盛微) 商品型号 AM30N10-70D-T1-PF-JSM 商品编号 C18190289 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)36A ...
深圳市福田区福成合电子商行 8年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 下一页 共100页到 页 am30n10-70d价格信息不够给力?没有找到优质am30n10-70d批发/采购信息? 马上发布询价单 阿里巴巴为您找到13720条am30n10-70d产品的详细参数,实时报价,价格行情,优...
AM30N10-70D原装MOS场效应管100V 21A贴片TO252 N沟道 电子元器件 深圳市前海新功率科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 ON场效应管 N沟道MOS 原装全新进口 工厂一站式BOM表配套 深圳市鹏芯盛电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
10Am27C020AC CHARACTERISTICSCaution: Do not remove the device from (or insert it into) a socket or board that has VPP or VCC applied.Notes:1. VCC must be applied simultaneously or before VPP, and removed simultaneously or after VPP.2. This parameter is s
8Am29LV400B Known Good DieSU PP L E ME NTPRODUCT TEST FLOWFigure 1 provides an overview of AMD’s Known GoodDie test flow. For more detailed information, refer to theAm29LV400B product qualification database supple-ment for KGD. AMD implements quality as
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