型号 AM2336N-T1-PF 技术参数 品牌: WINBOND 型号: AM2336N-T1-PF 封装: SOT23-3 批号: 19+ 数量: 6900 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 6V 长度: 6.5mm 宽度: 5.6mm 高度: 2.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标...
型号:AM2336N-T1-PF-VB 品牌:VBsemi(微碧) --- 产品参数 --- 极性N沟道 额定电压30V 额定电流6.5A 导通电阻30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V 门源电压20Vgs (±V) 阈值电压1.2~2.2Vth (V) 封装类型SOT2 --- 数据手册 --- AM2336N-T1-PF.pdf ...
AM2336N-T1-PF 品牌AP美商亚柏 量大价优 封装SOT-23 批号22+ 仓库地址深圳 QQ咨询 洽洽咨询 深圳市淘芯电子有限公司 商家资质: 会员 会员年限: 会员0 实体认证: 未认证 电话: 0755-23997544 13424435694 13760112133 地址: 福田区华强北新华强Q6E1088有价就发,只要合适马上支持。淘芯孙生...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号AM2336N-T1-PF-VB 商品编号C7463650 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.0433克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 6.5A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd...
属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 5.8A 导通电阻(RDS(on)) 40mΩ@4.5V,5A 属性参数值 耗散功率(Pd) 350mW 阈值电压(Vgs(th)) 1.4V 输入电容(Ciss@Vds) 1.05nF@15V 反向传输电容(Crss) 77pF@15V 工作温度 -55℃~+150℃ ...
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AM2336N-T1-PF-CU 0 1 1 2240 AM2336N-CT 0 1 1 8330 AM2336N-T1-PF-ML 0 1 1 300000 AM2336T/R 0 1 1 14507 今天就注册 搜索9 千0 亿+ 电子元器件 3千+ 供应商 1997年开始 申请免费试用的会员资格 潜在的元器件生产商*: AME (Analog Microelectronics) Hittite Microwave (Analog Devices)...