A subcutaneously administered GalNAc-conjugated small-interfering RNA (siRNA) targeting F12 mRNA (ALN-F12) was developed, and potency was evaluated in mice, rats, and cynomolgus monkeys. The effect of FXII reduction by ALN-F12 administration was evaluated in two different vascular leakage mouse ...
1.一种AlN基板高效散热HEMT器件,自下而上包括:AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InGa N沟道层、AlIn N空间电荷层、以及AlGa N势垒层;其中,所述AlN陶瓷x 1-x y 1-y z 1-z基板与所述AlN成核层之间键合连接,所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。 2.根据权利要求1所述的HEMT器件,其中,所...
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本文采用激光分子束外延法在Si(100)衬底上制备立方AlN薄膜,系统研究了沉积工艺(主要是衬底温度,激光脉冲能量,N2分压)和TiN缓冲层对薄膜生长和质量的影响.借助X射线衍射仪,扫描电子显微镜,UV-VIS分光光度计,椭圆偏振仪,傅里叶变换红外光谱仪,半导体参数分析仪等对薄膜的结构,表面形貌,成分和光电性能进行了分析,主要...
We report a detailed analysis of the cathodoluminescence spectra of ${\mathrm{Tm}}^{3+}$-implanted 2H-aluminum nitride (AlN) covering the wavelength range between 290 and $820\phantom{ule{0.3em}{0ex}}\mathrm{nm}$ at temperatures between 12 and $60\phantom{ule{0.3em}{0ex}}\mathrm{K}...
一种AlN外延层及其制备方法,涉及半导体外延技术领域,该制备方法先在较低温度下生长一层N极性隔绝层,从而较好的隔绝N极性,形成单一的Al极性。然后,在N极性隔绝层上,于中温下形成成核层,中温下Al原子的表面迁移能力提高,可以提高成核层质量。进一步提高温度,在较高温度下于成核层上再沉积一层缺陷修复层,可以在保证...
@广东光达电气股份aln180-s电抗器 广东光达电气股份 ALN180-S电抗器是一款比较适合工业场景使用的产品,它的主要功能是帮助减少谐波干扰,提高电能质量。这款电抗器在降低电磁干扰、避免电缆发热和绝缘老化方面表现不错,能够有效延长设备的使用寿命。它的设计简洁,安装方便,维护起来也很轻松。
法拉利F12? FF? 都不是! 现在我们见到大街上跑过去一辆法拉利,其实并不稀奇。但你可知道,中国目前市值最高法拉利是什么吗?那就是中国第一辆法拉利——91年款法拉利348 照片上的这个人叫李晓华,是前北京首富。边上这辆就是中国第一辆也是目前市值最高的法拉利跑车——91年款法拉利348。 1992年,法拉利在亚运村会展...
At 10mg/kg ALN-F12, the top dose level evaluated, this resulted in >95% reduction of FXII and ~10 fold reduction in fibrin deposition. Finally, hemostasis models showed that >95% reduction of FXII had no impact on bleeding time or blood loss.#Our findings support that reduction of ...