通过W-Cu/AlN复合材料XRD分析可以发现纳米AlN的添加进一步保证了W-Cu复合材料的纳米结构特性,有效降低了烧结后复合材料的晶粒尺寸。
此时需要搭载单晶配件提高XRD的角度分辨率及入射光的准直性，以使分析结果对晶格变化具更高的灵敏度。图14通过HRXRD分析，得到SiGe绕射峰，通过软件拟合该绕射峰的相对位置，即可得到各层SiGe的比例关系，而绕射峰周围的卫星峰的周期性震荡，则可以得到各层次相对应的厚度。图14. 多层SiGe与Si磊晶的HRXRD分析结果，通...
2018年,土耳其的I. K. Durukan等人推出了两种采用MOCVD法生长的不同AlN缓冲层厚度(260 nm和520 nm)的蓝宝石衬底AlGaN / AlN / GaN异质结构HEMT,并对两种结果进行了对比,通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)进行研究,其结果表明,使用260 nm厚缓冲层的器件具有更多的凹坑和突起,粗糙度更高。同年,印度的P.Mu...
高精度XRD检测表明,002半高宽低至85arcsec, 102半高宽低至45arcsec,且其分布均具有较高的一致性、均匀性,表明生长的晶体具有极高的结晶质量;拉曼光谱E2(high)峰位为657.28/cm,半高宽为5.8/cm, 与标准的无应力峰位657.40/cm比较,表明生长的晶体内几乎无残余应力;采用湿法腐工艺及SEM检测手段分析其位错密度在104...
图2 为AlN 样品的XRD 分析图,从图2 可以看出几乎没有杂相,衍射峰较尖锐,说明AlN 粉体的纯度已经很高,并且结晶完整,碳也被脱除干净。 图2 氮化铝XRD分析 2.2、SEM分析 图3 是氮化铝粉末放大2000倍的电镜照片,从图中可以看出,由这种工艺所制备的AlN粉体粒度均匀,没有大团聚,比较松散。图4 是氮化铝粉末放大...
图2显示了所制备样品(1124)面的XRD-RSM图。除了AlN峰之外,还可以观察到连续的AlGaN峰,这是组分分级的AlGaN层所特有的。这些AlGaN峰在面内(Qx)方向与AlN峰精确对齐,证实DPD层是在AlN衬底上赝晶生长的。提取x的最大值和最小值(xMax和xMin)分别为95%和70%,证实图1所描述的层结构是按预期生长的。
为确定DBD球磨处理样品的元素组成,对不同处理时间的样品进行XRD测试,AlN为六方相。处理0.5h后出现AlN和LiAlO2衍射峰,Li-Al-O相的形成可以增强N原子的扩散并形成AlN。随着球磨时间的增加,XRD图谱显示峰展宽增加。5h球磨后,平均晶粒尺寸随着球磨时间的增加而减小,而晶格应变随着球磨时间的增加而增加。对于较长的球磨...
图1 Al和DN混合粉在不同研磨时间下的XRD图谱 当研磨时间少于8h时,混合粉末为Al和DN为主相。继续增加研磨时间,DN衍射峰逐渐消失,AlN的衍射峰出现,随着时间的增加,AlN的峰越来越明显,说明固-固反向在研磨过程中完成。同时,等离子体的快速加热和球磨的冲击力的共同作用,颗粒细化并扁平变形,Al、DN和AlN衍射峰呈现出...
图2显示了所制备样品(1124)面的XRD-RSM图。除了AlN峰之外,还可以观察到连续的AlGaN峰,这是组分分级的AlGaN层所特有的。这些AlGaN峰在面内(Qx)方向与AlN峰精确对齐,证实DPD层是在AlN衬底上赝晶生长的。提取x的最大值和最小值(xMax和xMin)分别为95%和70%,证实图1所描述的层结构是按预期生长的。
该方法外延3分钟(约71.3 nm)后即可实现良好的台阶流形貌,AFM表面粗糙度0.216 nm(图2(b));外延50分钟后XRC(002)半峰宽达到96弧秒(图2(e))。同时,光学显微镜、厚度、XRD和拉曼mapping结果表明,该6英寸AlN外延具有良好的面内均匀性(图1(a)-(b)和...