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以上结论差别较大,这可能与实验中所用AlN基片的 材料组成、含量和基片的表面特性差异有关。 111 实验方法 本实验用信息产业部电子第四十三所提供的含钇AlN基 片。经表面研磨,清洗后,置于高温炉中,温度分别为800℃、 1000℃、1200℃和1400℃下,保温2h,然后随炉冷却。 112 X衍射分析 氧化后的AlN基片的表面XRD图...
日本原装KANSAI液位开关型号:ALN-111-1M议价 在线交易 深圳市奈良机工贸易有限公司 1年 查看详情 ¥8795.00/个 重庆 关西KANSAI紧凑型电容式液位开关ALN/ST8系列 在线交易 紧凑型 电容式 重庆津泽机电科技有限公司 2年 查看详情 ¥3650.00/台 广东广州 【藤野】 日本 kansai 法兰旋转液位开关 NL-8B 料位计...
效处理后,人1-93丨-3〇1合金的热导率由197.2^//(111.1〇提升至丨98.2%/(11^1<:)。基于71:311及 纳米A1NP的协同作用制备了一种高导热高强韧Al-9Si-3Cu合金。关键词:Al-9Si-3Cu;晶粒细化;力学性能;热导率 作者简介:张冬青(1997-),男,硕 士生,研究方向为S挂合 金强韧化及导电、导热...
alnelneln|yal 0 me&lomely 34.1^1maf111dtog0001111tratr4.I'maidt 0 g anight. 相关知识点: 试题来源: 解析 alone关键词(句):go out:出去翻译:我害怕在晚上独自一人出去。alone:独自一人;lonely:寂寞的;根据题意可知,答案为alone。 反馈 收藏 ...
X-ray studies indicated that the films were highly textured on Al2O3(0001) and Al2O3(1102), and less so on Si(111) and Si(100). The thermal conductivity of these thin films was investigated by the thermal wave-mirage technique, and a high value of 25.2 W-1m-1K-1 was found for...
DX-111信号继电器、 CDJD8-400A智能鉴相鉴幅漏电继电器、 JD1-100漏电继电器、 DHC10S-S双设定时间继电器、 JY-1压力继电器、 JD3-45漏电继电器、 LLJ-100F漏电继电器、 JY82-III检漏继电器、 ZJBS-220低电流启动中间继电器、 JS14P时间继电器、 DRD-214型熔断器监视继电器、 LLJ-1000FT漏电继电器、 LLJ-63FG漏...
(111)S也|sfrateSk盯pe阳自Ire[J].lfnS,2003, 44l:32237. 第2,由于灿N具有六方纤锌矿晶体结构,具有c轴(002) 择优取向的砧N薄膜N原子和~原子分处于上下两层,如图 [6]IshiharaM,L.asJ,YI吖吼oH,efa『.Pref;erentiaIorientationafAlN fiInls thereadIve prq)arecIby s叫n日旧州hodLJ].丁h『仃...
MBE不需要考虑中间的化学反应,又不受质量传输的影响,并且利用开闭挡板(快门)来实现对生长和中断的瞬时控制。因此膜的组分和掺杂浓度可随着源的变化而迅速调整。在所有的单晶薄膜的技术中,MBE的衬底温度最低,因此有减少自掺杂的优点。缺点是生长速率低,大约1m/h。214金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD)...