计算单层AlN、Al35HiMN350/+2/+3(M = Be/ Mg)和Al35HiCaN350/+3的总态密度(TDOS)和偏态密度(PDOS),如图4所示。图4(a)显示了单层AlN的VB顶部和CB底部之间的距离,因此表明单层AlN是半导体。单层AlN的导带(CB)底部由Al-3s和Al-3p态组成,VB顶部由N-2p态组成。 电子吸收光子后,费米能级以下的电子会...
基于上述考虑,侯清玉教授团队通过第一性原理计算方法,系统研究了点缺陷(Hi-VAl)对单层AlN:Be/Mg/Ca磁性和光催化性能的影响,从态密度和能带的计算表明,所有含杂质体系均为直接带隙半导体。同时发现,单层Al34HiBeN36体系满足杂质能级...
内容提示: 第43卷第1期 西南大学学报 (自然科学版) 2021年1月Vol.43No.1JournalofSouthwestUniversity(NaturalScienceEdition)Jan.2021DOI:10.13718/j.cnki.xdzk.2021.01.007类石墨烯材料AlN单层膜德拜温度和热容量随温度的变化何勇军 1, 周庭艳 2, 马朝科 31.重庆市第一中学,重庆401329;2.重庆邮电大学 理学院,...
Ti4AlN3-MAX三元层状氮化物块体材料;Ti3AlCN MAX相陶瓷单层多层二维材料 西安齐岳生物科技有限公司可以提供推出一系列二维纳米材料:Mxene、过渡金属碳化物和氮化物(MXenes)、MAX相陶瓷材料。 成品核磁图谱: MAX相陶瓷(包括钛碳化硅,Ti3AlC2材料等)是一种备受关注的* 可加工导电陶瓷材料这类陶瓷包含六十多种三元碳化...
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本研究通过第一性原理计算研究了碱土金属掺杂对单层AlN:VN-Hi磁性和光催化性能的影响。杂质越接近VN,形成能越低,稳定性相对较好。 对带电缺陷形成能的计算表明,Al35HiBeN35和Al35HiMgN35的稳定价态为0/+2/+3,Al35HiCaN350的稳定价态为0/+3。Al35HiBeN350、Al35HiMgN350和Al35HiCaN350的磁矩均为1 μ...
近日,内蒙古工业大学侯清玉教授科研团队在单层AlN掺杂体系光催化性能研究中取得新进展,相关研究成果“点缺陷(Hi-VAl)对单层AlN:Be/Mg/Ca磁性和光催化性能影响的第一原理研究”[First-principles study of the effect of point defects (...
本研究通过第一性原理计算研究了碱土金属掺杂对单层AlN:VN-Hi磁性和光催化性能的影响。杂质越接近VN,形成能越低,稳定性相对较好。 对带电缺陷形成能的计算表明,Al35HiBeN35和Al35HiMgN35的稳定价态为0/+2/+3,Al35HiCaN350的稳定价态为0/+3。Al35HiBeN350、Al35HiMgN350和Al35HiCaN350的磁矩均为1 μ...