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直销 纳米氮化铝氮化铝粉末ALN超细氮化铝绝缘耐水解氮化铝粉 上海金鑫盾金属材料科技有限公司1年 超细铝粉纳米铝粉氮化铝粉 月均发货速度:暂无记录 上海市浦东新区 ¥329.00成交30袋 供应40nm纳米氮化铝氮化铝AlN导热绝缘氮化铝亚微米氮化铝粉 上海杳田新材料科技有限公司10年 ...
1. 半导体行业 氮化铝在半导体行业中的应用十分广泛，除了作为封装基板材料外，还有以下几个重要领域：（1）高频功率器件：随着半导体技术的发展，高频功率器件对热管理的要求越来越高。氮化铝凭借其高热导率、低热膨胀系数和良好的电绝缘性能，成为高频功率器件的理想材料。采用氮化铝基板的高频功率器件，可以在提高功率...
氮化铝(AlN)是一种具有六方纤锌矿结构的共价晶体,纯氮化铝呈蓝白色,通常为灰色或灰白色。晶格常数a=3.110Å,c=4.978Å,Al原子与相邻的N原子形成歧变的[AlN4]四面体,沿c轴方向Al—N键长为1.917Å,另外三个方向的Al—N键长为1.885Å,AlN的理论密度为3.26g/cm3。常压下在2450℃升华分解。
纳米氮化铝、超细氮化铝、微米氮化铝 AlN 产品特点: 微纳米氮化铝纯度高,粒径小,比表面积大,表面活性高,通过表面改性处理的粉体,不会发生水解反应,含氧量极低 lt;0.01%),绝缘导热性能效果非常明显。用在高分子树脂中,增黏不明显,是目前好的高导热绝缘填料。纳米氮化铝属类金刚石氮化物,可稳定到2200℃,室温...
高性能声学谐振器和滤波器,例如表面声波(SAW)[4]和体声波(BAW)谐振器在不同的压电材料系统中实现。其中,氮化铝(AlN)之所以受欢迎,主要是由于CMOS兼容性和发达的微加工技术。 定义声学滤波器品质因数的关键参数包括 1) 品质因数(Q),它决定滤波器的插入损耗和陡裙选择性;2) 机电耦合系数(k2),它决定滤波器...
届时,北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波受邀将出席会议,并带来《AlN单晶衬底和外延薄膜的制备》的大会主旨报告,报告将分享相关最新研究成果,北京大学近年来围绕高质量AlN单晶衬底和外延薄膜的获得开展了系统工作,在AlN体单晶的PVT生长研究上,实现了直径超过62 mm的AlN晶体和直径超过50 mm的AlN单...
AlN是一个典型的压电材料,它在受到机械应力时会产生电压,反之亦然。 AlN是一种无铅压电材料,铅在在某些应用中是受到严格控制的,相对于含铅的压电材料(PZT),具有更大的优势。由于其较低的机械损耗,AlN具有高品质因子(Q值),Q值在高频的应用中十分重要,因此在在高频应用中特别受欢迎。 硬度高 具有很高的硬度。它...
散热基板及电子器件封装是 AlN 陶瓷的主要应用。氮化铝陶瓷具有优异的导热性 能,热胀系数接近硅,机械强度高,化学稳定性好而且环保无毒,被认为是新一代散 热基板和电子器件封装的理想材料,非常适合于混合功率开关的封装以及微波真空管 封装壳体材料,同时也是大规模集成电路基片的理想材料。 2. 结构陶瓷 晶圆加工用静...
2017年,Hodge等人制备了以碳化硅(SiC)衬底上外延生长的单晶AlN为压电薄膜的BAW器件,滤波器通带响应如图4(a)所示,相比于传统多晶AlN材料制备的FBAR滤波器,性能得到大幅提升。 然而,对于各研究团队更重要的是,FBAR器件制备的核心专利被少数几家公司持有,在国际竞争愈加激烈的大环境下,后续团队在进行FBAR器件的研究时,...