1. 半导体行业 氮化铝在半导体行业中的应用十分广泛，除了作为封装基板材料外，还有以下几个重要领域：（1）高频功率器件：随着半导体技术的发展，高频功率器件对热管理的要求越来越高。氮化铝凭借其高热导率、低热膨胀系数和良好的电绝缘性能，成为高频功率器件的理想材料。采用氮化铝基板的高频功率器件，可以在提高功率...
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散热基板及电子器件封装是 AlN 陶瓷的主要应用。氮化铝陶瓷具有优异的导热性 能,热胀系数接近硅,机械强度高,化学稳定性好而且环保无毒,被认为是新一代散 热基板和电子器件封装的理想材料,非常适合于混合功率开关的封装以及微波真空管 封装壳体材料,同时也是大规模集成电路基片的理想材料。 2. 结构陶瓷 晶圆加工用静...
使用更高等级的AlN,导热系数也可以显着提高。导热能力在电力电子应用中至关重要,而AlGaN合金的导热系数一般,低于50W/mK(瓦特/毫开尔文)。如表1所示,纯AlN为319W/mK,与4H-SiC相差不远。 图2:氮化铝(AlN)二极管的简化横截面层 6 未来发展 在证明了AlN垂直二极管在极化诱导掺杂工艺中是可行的之后,下一步是实现...
AlN是一个典型的压电材料,它在受到机械应力时会产生电压,反之亦然。 AlN是一种无铅压电材料,铅在在某些应用中是受到严格控制的,相对于含铅的压电材料(PZT),具有更大的优势。由于其较低的机械损耗,AlN具有高品质因子(Q值),Q值在高频的应用中十分重要,因此在在高频应用中特别受欢迎。 硬度高 具有很高的硬度。它...
氮化铝(AlN)是一种具有六方纤锌矿结构的共价晶体,纯氮化铝呈蓝白色,通常为灰色或灰白色。晶格常数a=3.110Å,c=4.978Å,Al原子与相邻的N原子形成歧变的[AlN4]四面体,沿c轴方向Al—N键长为1.917Å,另外三个方向的Al—N键长为1.885Å,AlN的理论密度为3.26g/cm3。常压下在2450℃升华分解。
AlN单晶衬底生产流程(来源:HexaTech) 其中,同质外延生长法可以使用自发形核生长获得的小尺寸AlN晶体作为籽晶进行扩晶生长,由于其无晶格失配影响,能维持甚至改善外延晶体质量,同时实现扩大晶体尺寸的优势,是生长AlN单晶的最终极目标。 同质外延生长工艺过程的温度范围为2050~2320℃之间,其生长过程的温度梯度通常在5~50℃...
供应氮化铝AlN高导热氮化铝陶瓷应用导热材料 超细微米氮化铝 清河县奔宇金属材料有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 河北 邢台市 ¥292.00 高导热氮化铝大量供应氮化铝AlN陶瓷应用 导热材料氮化铝 清河县惠初焊接材料有限公司5年 月均发货速度:暂无记录
AlN薄膜取向 绝大多数与芯片制造相关的AlN应用都倾向于使用c轴取向,即(002)取向。在沉积AlN薄膜以制备压电芯片时,通常需要确保AlN薄膜在(002)取向上具有良好的取向性,这样才能最大化其压电性能。 原创不易,转载需联系开白名单并注明出自本处。 我建了一个知识分享的社区,陆续上传一些芯片制造各工序,封装与测试各...
(i)um nitride 氮化铝分子式:AlN 分子量:40.99 密度:3.235g/cm3 说明:AlN是原子晶体,属类金刚石氮化物,最高可稳定到2200℃.室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢.导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料.抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料.氮化铝还是电绝缘体,介电性能...