本文介绍了我公司进行的AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片制作方法。首先进行MOCVD外延,再以高热导率Si、SiC、金属等材料作为衬底,将LED外延层粘接在其上并制成芯片。其结构为: 图1:高热导率镜面衬底高亮度LED结构 工艺制作先在高热导率材料表面上蒸镀Au层作为反射镜面和粘接层,并通过加热加压将LED外延层与高热...
本文介绍了我公司进行的AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片制作方法。首先进行MOCVD外延,再以高热导率Si、SiC、金属等材料作为衬底,将LED外延层粘接在其上并制成芯片。其结构为: 图1:高热导率镜面衬底高亮度LED结构 工艺制作先在高热导率材料表面上蒸镀Au层作为反射镜面和粘接层,并通过加热加压将LED外延层与高热...