在温度方面，ALD工艺适用于室温至800℃的基板温度范围，而大多数沉积过程发生在100-200℃左右。高于100℃的温度条件下，水蒸气作为反应物之一会快速从基板和壁上蒸发，从而提高前驱体之间的循环速度。在某些情况下，高温甚至可以实现外延生长，形成与基底晶型匹配的单晶涂层，即所谓的原子层外延。最后，我们来看看ALD工艺
在 ALD 中，适合沉积的基板温度范围为室温至 800℃，但大多数沉积发生在 100-200℃ 左右。当温度高于 100°C 时，通常用作反应物之一的水蒸气会从基板和壁上快速蒸发，因此使用高于 100°C 的温度，前驱体之间的循环速度会更快。在高温下，某些材料可以实现外延生长。若沉积层与基底晶型匹配，即可形成单晶涂层，...
关于ALD的温度需求，其范围宽泛，从室温至800℃不等，但大多数沉积过程发生在100-200℃左右。在较高温度下，如100°C以上，水蒸气会从基板和壁上快速蒸发，导致前驱体之间的循环速度加快。在高温下，某些材料可以实现外延生长，形成与基底晶型匹配的单晶涂层，即所谓的原子层外延。在涂层类型方面，ALD技术...
金融界2025年1月24日消息,国家知识产权局信息显示,艾华(无锡)半导体科技有限公司申请一项名为“一种ALD工艺复合式温控方法”的专利,公开号 CN 119336092 A,申请日期为2024年10月。 专利摘要显示,本发明是一种ALD工艺复合式温控方法,包括:S1、全速加热至第一阶段设定温度,可有效缩短加热时间;S2、靠积蓄的热量缓冲升...
前驱体吸附到表面主要是热驱动的,这意味着ALD 工艺需要最低基板温度,但如果温度过高,反应物就会发生分解。该过程可能发生的温度范围称为 ALD 温度窗口 ,它取决于沉积中涉及的前体,典型值为 50 至 350 °C。 ALD 的优势: 1、无针孔薄膜是指在薄膜表面上不存在微小的通孔或孔洞,使薄膜具有良好的密封性和隔离性...
2025年1月24日,金融界报道,艾华(无锡)半导体科技有限公司于2024年10月申请了一项名为‘一种ALD工艺复合式温控方法’的专利,公开号为CN119336092A。这一技术的推出不仅为半导体制造行业带来新的机遇,更有可能有效缩短在化学气相沉积(ALD)工艺中控制温度的时间,从而优化生产效率。
更多“将原料放入较高温度的油里进行加热的工艺方法称为炸。炸腰果温度为()”相关的问题 第1题 烤是将初步加工成形,调味抹油的原料,放入封闭的烤炉中,利用对流导热作用,对原料进行加热至上色,并达到规定火候的烹调方法。() 点击查看答案 第2题 将原料经油炸或水滚处理后,放入浓度较高的糖浆中用()加热成甜菜的...
CVD 工艺由于在沟槽或孔内前驱体浓度较低,导致厚度比基材表面低得多。CVD 通常还需要较高的衬底温度。 ALD有更好的台阶扩散性和沟槽涂层均匀性 本篇文章我们将继续从效率、温度和涂层类型全方位揭秘原子层沉积技术,欢迎对原子层沉积技术感兴趣的朋友们和我们一起交流探讨。 Part1 原子层沉积工艺的效率 众所周知,...
由于CVD 缺乏自钝化作用,因此也不可能形成均匀的高深宽比涂层。CVD 工艺由于在沟槽或孔内前驱体浓度较低,导致厚度比基材表面低得多。CVD 通常还需要较高的衬底温度。 ALD有更好的台阶扩散性和沟槽涂层均匀性 本篇文章我们将继续从效率、温度和涂层类型全方位揭秘原子层沉积技术,欢迎对原子层沉积技术感兴趣的朋友们...