根据前驱体的选择,ALD工艺能够生成电介质(绝缘)和金属(导电)膜。ALD拥有众多优点,因此它被应用到多个领域,我们在这里做如下扼要介绍。 自对准图形 ALD在自对准图形技术中起到关键作用,能比当前的光刻技术形成更小的图形。在这种技术中,薄间隔物被沉积在预先定义的特征上。这层间隔膜必须高度保形并且非常均匀,因为它将限定最终图形的关键
输液系统：对于挥发性不佳、无法自行产生足够蒸气压的前驱体，可以供应惰性气体如Ar，并配合压缩的前驱体，通过专用管子强行插入液体中实现汽化。这种方法通常与载气推进器一同使用。随着工艺的不断发展，原子层沉积所需的设备也日益增多。例如，在先进工艺中，多层电介质材料ALD中间层、3D NAND中的金属ALD word line以...
原子层沉积 (ALD) 是一种精确且可控的薄膜制造工艺，广泛应用于先进芯片制造中，与之相匹配的蚀刻工艺 - 原子层蚀刻 (ALE) - 一同实现了新材料和三维设计的使用。ALD 的重要性在于其原子尺度上的精确控制能力，使其成为化学气相沉积 (CVD) 技术中不可或缺的一部分。在 CVD 技术中，气态的“前驱体...
薄膜沉积工艺中ALD技术即原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是精细制程、深沟槽和立体结构中必选的工艺。ALD所需的前驱体材料,一般要求纯度达到99.9999%以上,杂质浓度达ppb级别以内,工艺复杂,需要超高的金属有机合成和高纯度提纯的能力,代表着行业最高科研能力。 ALD在半导体领域应用 随着泛半导体行业的发展,对微型化...
薄膜沉积工艺主要分为物理和化学方法两类,细分工艺包括PVD、CVD、ALD等。薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层,使之具备一定的特殊性能,可用物理或化学方法制备。ALD技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表面饱和化学反应,特点是逐层形成薄膜。ALD技术广泛适...
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南大光电:半导体前驱体是ALD和CVD薄膜沉积工艺的核心材料 同花顺(300033)金融研究中心02月07日讯,有投资者向南大光电(300346)提问, 请贵公司详细介绍一下前驱体是什么材料? 公司回答表示,感谢您的关注!半导体前驱体材料是携带有目标元素,呈气态、易挥发液态或固态,具备化学热稳定...网页链接...
●来自原速科技的专家,将介绍ALD设备及工艺在钙钛矿电池技术中的应用与展望 “碳达峰”和“碳中和”一直都是能源领域的热点话题,作为助力“双碳”战略的生力军,光伏产业具有举足轻重的地位。目前光伏的主力是硅太阳能电池,它们具有效率高、稳定性好、产业链完备、使用寿命长的优势。然而,晶硅电池的转换效率到达瓶颈,且...
在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等往复循环。薄膜沉积工艺中ALD技术即原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是精细制程、深沟槽和立体结构中必选的工艺。ALD所需的前驱体材料,一般要求纯度达到99.9999%以上,杂质浓度达ppb级别以内,工艺复杂,需要超高的金属有机合成和高纯...