ALD超低反光学镀膜在光学器件制造中具有重要的应用价值。例如,在LED制造中,ALD超低反光学镀膜可以提高LED的光输出效率,从而提高LED的亮度和寿命。在激光器制造中,ALD超低反光学镀膜可以提高激光器的输出功率和稳定性。 此外,ALD超低反光学镀膜还可以应用于...
产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 125C 最小电源电压 1.5V 最大电源电压 6V 长度 1.9mm 宽度 8mm 高度 2.6mm 可售卖地 全国 型号 C1495-ALD 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同...
针对高深宽比结构的材料/器件,设计了独有的FV-ALD工艺,给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境,针对高深宽比的结构,有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性,可以实现深宽比1:1000的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300 图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构...
ALD的工艺独特性使其在大尺寸衬底沉积中具有优异的均匀性,从而使所有的器件都具有相同的性能。由于所得到的薄膜厚度是根据所选择的ALD循环数来确定的,具有良好的再现性,因此不管是不同机台之间,或者同一机台的不同时间都有非常好的沉积厚度重复性。 ALD有着良好的阶梯覆盖特性,工艺菜单易于管理,相同腔室兼容多种材...
AdvancedLinearDevices(ALD)是一家致力于提供高质量、高效率、高性能线性电子器件的半导体公司。ALD专注于极低功耗线性电子器件,并将其运用于消费、工业、电力、医疗和汽车应用领域。ALD的产品组合涵盖了多种类型的晶体管,包括双极性JFETs,MOSFETs,晶体管,可控硅和晶闸管。ALD的产品具有独特的特性,可以满足现代设备的高...
沉积技术是推进存储器件进步的关键要素。但随着3D NAND堆栈的出现,现有填充方法的局限性已开始凸显。 泛林集团去年推出的Striker®FE增强版原子层沉积(ALD)平台可解决3D NAND和DRAM领域的半导体制造难题。该平台采用了被称为“ICEFill”的先进电介质填充技术,可用于先进节点下的3D NAND和DRAM架构以及逻辑器件。泛林集...
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out ZQW发烧友 2023-06-15 16:03:16 氮化镓功率芯片功率曲线分析 氮化镓功率器件的优缺点 不,氮化镓功率器(GaN Power Device)与电容是不同的组件...
随着对微处理器和存储器的计算速度和功率需求的持续增加，同时又降低其功耗和尺寸，使得半导体器件制造经受着越来越大的挑战。特别是在“后摩尔定律”时代，纳米级器件结构需要薄膜的沉积和去除精确控制在原子层级别。原子层沉积(ALD)技术已经衍变成为下一代新型器件制造战略中的关键技术，并使摩尔定律得以进一步延伸。微...
半导体ALD设备:适用于原子级厚度控制以及三维、超高深宽比结构器件内壁等薄膜沉积工艺,如半导体 High-k 介质层、金属栅极、金属互联阻挡层、多重曝光技术等。 查看图片 引用: 2025-01-02 11:38 首先本次可转债问询回复函要回答:到期能否偿还本息的问题,公司围绕要做、能做、能做成的项目回复说明,而不是今后两三...
原子层沉积(ALD)技术因其独特的特点,比如说(1)可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度,形成达到原子层厚度精度的薄膜;(2)可生产极好的三维保形化学计量薄膜;(3)可以沉积多组分纳米薄膜和混合氧化物;(4)薄膜生长可以在低温(室温到400℃)下进行;(5)可广泛的适用于各种形状的衬底。这些特点使得ALD技术被...