理想的 ALD 生长过程,通过选择性交替,把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代,前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术(与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关)进行了研究。后来,芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术(1974年,由 Tuomo Suntola 教授申请...
原子层沉积(ALD) 是一种基于连续使用气相化学过程的薄膜沉积技术;它是化学气相沉积的一个子类。大多数ALD反应使用两种称为前体(也称为反应物)的化学物质。这些前体以顺序的、自限性的方式一次一个地与材料表面反应。通过反复暴露于单独的前体,薄膜缓慢沉积。ALD是制造半导体器件的关键工艺,也是合成纳米材料的工具集的...
ALD生长原理与传统化学气象沉积（CVD）有相似之处，不过ALD在沉积过程中，反应前驱体是交替沉积，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，每次反应只沉积一层原子。拥有自限制生长特点，可使薄膜共形且无针孔的沉积到衬底上。因此可以通过控制沉积周期的次数进而实现薄膜厚度的精确控制。一个原子层沉积周期可...
其工作原理可以概括为以下几点: 1. 材料表面的预处理 ALD工艺中,首先需要对待沉积表面进行预处理。这一步的目的是为了清除表面上可能存在的杂质和氧化物,以确保后续的膜层形成过程对表面情况不会产生影响。 2. 前驱体的吸附 在经过表面预处理后,初级前驱体被引入气氛中,并通过化学反应的方式在表面上形成吸附层。
ALD的基本原理是通过表面反应实现物质的逐层生长。其关键步骤包括前体吸附、表面反应和副产物去除。 2.1 前体吸附 在ALD过程中,首先将一种前体分子A注入反应室中,并通过惰性载气将其输送到基底表面。前体分子A与基底表面发生物理吸附或化学吸附,形成一个单分子膜(self-assembled monolayer,SAM)。这个单分子膜起到了保...
ALD(Atomic Layer Deposition)工艺,即原子层沉积工艺,是一种先进的薄膜沉积技术。其基本原理依赖于两个或多个前驱体在反应室中交替引入,并通过化学吸附和反应形成原子级别的薄膜。以下是关于ALD工艺原理的详细解释: 一、核心原理 ALD工艺的核心是利用化学反应的“自限性”,实现以原子或分子层为单位逐层生长薄膜。这种...
ALD 过程的基本原理 原子层沉积通常包括 4 个步骤的循环,根据需要重复多次以获得所需的涂层厚度。在生长过程中,表面交替暴露于两种互补的化学前体。在这种情况下,每种前体都单独进料到反应器中。 为了在将另一种前体引入反应器之前去除任何残留的化学活性气体...
ALD 生长原理与传统化学气象沉积(CVD)有相似之处,不过ALD在沉积过程中,反应前驱体是交替沉积,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,每次反应只沉积一层原子。拥有自限制生长特点,可使薄膜共形且无针孔的沉积到衬底上。因此可以通过控制沉积周期的次数进而实现薄膜厚度的精确控制。