其原理主要是通过气相前驱体在基底表面发生化学吸附反应,形成原子级别的薄膜。一个完整的ALD生长循环通常包括以下四个步骤: 1. 脉冲前驱体源A进入反应室,在暴露的衬底表面发生化学吸附反应; 2. 惰性气体吹扫剩余的未反应的前驱体A; 3. 脉冲前驱体源B进入反应室,和前驱体源A发生化学反应; 4. 惰性气体吹扫剩余的...
原子层沉积（ALD）技术作为一种以准单原子层形式周期性生长薄膜的先进工艺，为半导体行业提供了革命性的解决方案。其在精确控制薄膜厚度、适应不同形状基底、降低涂层粗糙度以及防止针孔等缺陷方面展现出独特优势。ALD工艺原理涉及两种或多种前驱物的交替通过衬底表面，形成化学吸附和反应，实现薄膜的精确制备。
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度薄膜沉积技术,是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。将两种或更多种前体化学品分别包含被沉积材料的不同元素,一次一种地分别引入到衬底表面。每个前体使表面饱和,形成单层材料。 原子层沉积原理 ...
热原子沉积：借助高温激发化学反应，设备工作在200-500℃。PEALD：在低温下通过等离子体提高反应活性，电容耦合和电感耦合型设备有不同的实现方式。ALD的应用广泛，尤其在对生长温度、热预算有严格要求，以及对薄膜质量要求高的领域，如光伏行业的Al2O3和SiNx薄膜，先进逻辑和存储器中的高K金属栅极、间隔...
喷淋式热原子沉积设备，如ASM的杰作，通过热能激发化学反应，而PEALD则在低温下借助等离子体的催化作用，实现了高效且低热预算的薄膜制备。在光伏领域，ALD被广泛应用，如制备Al2O3和SiNX薄膜，而在先进逻辑和存储器技术中，它更是高K金属栅极、精细间隔电介质、MIM电容器和高深宽比间隙填充的得力助手，...