ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成最薄、最均匀的薄膜。工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力,是其成为微缩与 3D 技术推动因素的基础。自限式表面反应让原子级沉积控制成为可能:薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数。表面控制会使薄膜保持极佳的共形性和均匀厚度,这两点是新...
CVD膜层通常比PVD膜层要薄,形状很复杂的建议用CVD工艺。相比于ALD技术,PVD技术生长机理简单,沉积速率高,但一般只适用于平面的膜层制备;CVD技术的重复性和台阶覆盖性比PVD略好,但是工艺过程中影响因素较多,成膜的均匀性较差, 送TA礼物 1楼2024-09-06 17:50回复 ...