图 6.厚度与 ALD 循环次数的关系示例,说明了初始 ALD 循环期间加速、线性和延迟生长之间的差异。成核行为在很大程度上取决于 ALD 材料的生长模式。金属在金属氧化物上的 ALD 通常以岛式生长(也称 Volmer-Weber 型生长)开始,然后形成闭合薄膜。而某些其他材料则以逐层方式(Frank-Van Der Merwe) 模式生长。生...
这里我们所说的ALD儿童罕见病,也就是肾上腺脑白质营养不良的情况,这是一种比较常见的遗传性的疾病。正常情况下,发生在宝宝或者是儿童身上会比较多。这个时候如果儿童出现了ALD罕见病,就很有可能会记忆力减退。同时学习的时候或者做事的时候,还有可能会表现为注意力不集中的情况。当然宝宝还有可能会出现学习困难的情况。
原子层沉积 (ALD) 是一种通过氮气吹扫分离的脉冲化学蒸汽(“前体”)顺序暴露表面的技术。第一种前体通过与基材表面(通常与终止表面的 OH 基团)反应形成一个单层涂层。下一个前体与先前形成的单层表面反应,并形成另一个单层。通常使用两种不同的前体,导致二元...
原子层沉积技术(ALD)是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程,通过选择性交替,把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。20 世纪 60 年代,前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术(与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关)进行了研究。后来,芬兰科...
ALD 具有多种独特优势,使其成为一项非常有价值的技术: 精确的厚度控制:ALD 可在原子级上沉积材料,确保出色的均匀性和精确的厚度控制。这种控制水平对于创建具有一致特性的超薄膜至关重要,使其适用于电子和光子学领域的广泛应用。 复杂3D 表面上的保形涂层:ALD 具有出色的能力,即使在复杂的 3D 表面上也能产生均匀...
7. ALD未来市场分析 在上一讲中,我们讲到了薄膜沉积设备中的CVD设备,化学气相沉积。其中列举到了ALD,ALD也是属于CVD的一种。但因其在先进制程中的应用以及未来的发展趋势,通常把它拿出来单独讲述。 1. ALD 原理 ALD, Atomic layer deposition,原子层沉积。顾名思义,它就像原子排列一样,一层一层的在衬底材料上...
原子层沉积(ALD)是一种气相技术,能够生产各种材料的薄膜。基于连续的自限性反应,ALD在高纵横比结构上提供了出色的保形性,在埃级的厚度控制和可调的薄膜成分上提供了出色的保形性。凭借这些优势,原子层沉积已成为许多工业和研究应用的强大工具。在这篇综述中,我们简要介绍了原子层沉积,并重点介绍了部分应用,...
尽管听起来不可能,但原子层沉积 (ALD) 已成为现实。事实上,它作为一种极其精确和可控的制造薄膜的过程被用于越来越多的应用中。连同其蚀刻对应物——原子层蚀刻 (ALE) ——ALD 使新材料和三维设计能够在先进的芯片制造中使用。在本技术简报中,我们将仔细研究这一重要的原子级过程。PART 01化学气相沉积实际上是...
ALD是化学气相沉积的一种变体,最初被广泛引入半导体行业用于制造高介电常数栅极电介质的氧化铪。与化学气相沉积(CVD)类似,ALD也是一种保形工艺,沉积发生在所有暴露于前体气体的表面上。然而,在ALD中,反应是自限性的。 ALD的工作原理如下:首先,将前体气体A引入处理室,并吸附到所有可用的基板表面上。一旦所有表面位点...
原子层沉积 (ALD) 过去被认为太慢而无法在半导体制造中使用,但现在它已成为在最先进节点工艺中制造晶体管和互连的关键工具。 原子层沉积(ALD)可以在一定程度上加快速度,但真正的转变是在最先进的节点上精确成分和厚度控制的价值不断上升,这使得花在沉积上的额外时间是值得的。