Al-N共掺杂P型ZnO薄膜制备及电学性能的研究 利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:A1薄膜,继而N离子注入实现薄膜的A1-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、... 梁薇薇,孔春阳,秦国平,... - 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 被引量: 2发表: 2012年...
分子在a -Al 2O 3(0001)表面吸附成键过程、吸附能量与成键方位。计算表明吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,其化学结合能达到4.844eV 。吸附后AlN 化学键(0.189±0.010nm )与最近邻的表面Al -O 键有30°的偏转角度,Al 在表面较稳定的化学吸附位置正好偏离表面O 六角对称约30°,使得...
Al_Mg_Si合金滑移面结合及位错运动机制
计算了Al N复 合体共掺ZnO的结合能,发现Al N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al N共掺可以提高N在ZnO的固溶 度。研究表明:N掺杂ZnO体系,由于N 2p和Zn 3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能 级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N 单...
王振波团队首次报道了原子级分散的Al-N-C催化剂用于4电子ORR。通过在平面Al-N4位点上构筑轴向配位的吡咯氮基团(No)可以有效的调节Al中心的电子结构和局部环境。轴向Al-No和Al-O键的动态共价竞争可以赋予活性中心Al 3p轨道和O 2p轨道之...
同一原子中,电子结合能最大的壳层是 A.O壳层 B.N壳层 C.K壳层 D.L壳层 E.M壳层 免费查看参考答案及解析 同一原子中,下列壳层电子离原子核最近的是 A.N壳层电子 B.M壳层电子 C.P壳层电子 D.L壳层电子 E.O壳层电子 免费查看参考答案及解析 同一原子中,下列壳层电子离原子核最近的是A.N壳层电子B.M...
Al_mNi_n(m+n=2-4)二元合金团簇结构和稳定性的密度泛函研究 在密度泛函理论的B3PW91水平上,优化计算了Al_mNi_n(m+n=2-4)团簇的几何结构、团簇基态的结合能、最高占据轨道与最低空轨道之间的能级间隙和可能的分离能.结果表明,随... 苏春艳,梁红,蒿凤有,... - 《原子与分子物理学报》 被引量: 0发表...
(1)如何在bn薄膜生长的过程中诱导形成n空位缺陷; (2)如何实现薄膜生长过程中形成al-b键,最终实现带隙可调; 针对以上两个关键技术,本发明的解决方案不需对设备进行复杂改装,也不用对设备添加任何昂贵的附件,通过第一性原理计算与实现相配合,从原子间结合能入手,基于热力学条件和薄膜动力学生长过程的理解,提出了高...
通过模型 A 与 B 的动力学过程计算分析 ,AlN 在α2Al2O3 (0001) 表面吸附过程为物理吸附与表面 迁移 、(Al) N - Al 化学吸附 、Al - O (基片) 化学吸附 、 和最优吸附位置成键 4 个阶段 ,AlN 分子在α2Al2O3 (0001) 表面的结合能大于 41844eV。吸附后 AlN 分 子化学键与最近邻的表面 Al ...
通过结构搜索结合密度泛函方法，我们系统地研究了Al n P n (n = 2~9)团簇的结构、稳定性和电子性质。随着尺寸的增大，AlP 团簇逐渐接近笼状结构，AlP 团簇中Al 原子和P 原子之间交替成键，稳定性增强，Al 原子和P 原子间的相互作用逐渐减弱。能隙研究表明Al n P n (n = 2~9)团簇表现为半导体性质。...