型号 AGM403A1 至为芯 MOSFET DC降压MOS移动电源/PD/车充AGM403A1 DC降压MOS(移动电源/PD/车充)——AGM403A1 ● General Deion The AGM403A1 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON) . This device is ideal for load switch and bat...
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AGM403A1-KU Table3.ElectricalCharacteristics(TJ25℃unlessotherwisenoted) SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit On/OffStates BVDrain-SourceBrdeV0VI250μA---V DSSeakownVoltagGSD40 IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS40V,VGS0V---1μA dyV±20V,V0V oLea...
AGM403A1-M1 描述 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):65nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):5.341nF@15V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 品牌名称AGM-Semi(芯控源) 商品型号AGM403A1-M1 商品编号C4237...
AGM403A1由AGM-Semi(芯控源)设计生产,立创商城现货销售。AGM403A1价格参考￥1.1285。AGM-Semi(芯控源) AGM403A1参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ@10V,20A;耗散功率(Pd):105W;阈值电压(Vgs(th)):1.2V
购物车中还没有商品,赶紧选购吧 请登录免费注册 AGM403A1 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star收藏商品 数量国内价格 5+￥2.51824 50+￥2.00114 150+￥1.77952 500+￥1.41578 3000+￥1.29266 6000+￥1.21878 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4-7工作日 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 AGM403A1、 芯控源、 DFN5、 6 商品图片 商品参数 品牌: 芯控源 封装: DFN5*6 批号: 2022+ 数量: 5000 BVDSS: 40V ID: 100A RDSON: 3.2毫欧 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因...
立创商城提供AGM-Semi(芯控源)的场效应管(MOSFET)AGM403A1-KU中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购AGM403A1-KU上立创商城
AGMH403A1由AGM-Semi(芯控源)设计生产,立创商城现货销售。AGMH403A1价格参考￥1.83。AGM-Semi(芯控源) AGMH403A1参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):120A;导通电阻(RDS(on)):2.4mΩ@10V,20A;耗散功率(Pd):105W;阈值电压(Vgs(th)):2.5