芯控源(AGMsemi)成立于2015年,是一家专注于IGBT/FRD和SiC MOSFET/硅基功率MOSFET研发的高科技公司,致力于实现高端功率器件的国产替代(特色-高频- 应用)。 产品重点面向新能源车、光伏和储能领域,广泛应用于PD快充、无刷电机、同步整流电源、BMS、充电桩、绿色照明、工业领域等。公司从业经验15-25年,产品来自头部晶圆...
AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 原产国家 China 长x宽/尺寸 5.75 x 4.90mm 高度 1.00mm 存储温度 -55℃~+150℃ 元件生命周期 Active 极性 N-沟道,P-沟道 击穿电压 30V,-30V 栅极源极击穿电压 ±20V 反向传输电容Crss 98pF,32pF
AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 原产国家 China 长x宽/尺寸 4.90 x 3.90mm 高度 1.70mm 存储温度 -55℃~+150℃ 元件生命周期 Active 极性 N-沟道,P-沟道 击穿电压 40V,-40V 栅极源极击穿电压 ±20V 反向传输电容Crss 43pF,64pF
英文全称Agmsemi Semiconductor Technology Co., Ltd 中文全称深圳市芯控源电子科技有限公司 公司网址www.agm-mos.com 企业地址中国深圳市龙岗区 深圳市芯控源电子科技有限公司(AGM-Semi)是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,专业从事各种大功率,半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售。目标跻身于全球最具价...
Login USD Cart Custom Cables Asian Brands Authorised AGMSEMI Core Control Electronic Technology Co., Ltd.(hereinafter referred to as "AGM-Semi") is a leading designer and marketer of modern high-power semiconductor devices in China, specializing in the design, production, and marketing of a wide...
AGMsemi focuses on innovative research and development of high-energy efficient power semiconductor devices, striving to provide customers with better quality Quality service, creating higher value More News What are the five major characteristics of electronic components?
In addition, the AgMnGeSbTe4 exhibits a degenerate semiconductor behavior and a large average power factor of 10.36 W cm K in the temperature range of 400–773 K. As a consequence, the AgMnGeSbTe4 has a peak figure of merit (ZT) of 1.05 at 773 K and a desirable average ZT value of...
AGM集团控股有限公司宣布,已同意向MinerVa半导体公司供应25,000台其生产的100 TH/S MinerVa MV7 ASIC,以构建MinerVa系列加密货币矿机。今后这些矿机谁来生产,可想而知 2024-07-25 19:18 这两家公司(翰博高新与南京雅南,后者由MINERVA SEMICONDUCTOR CORP全资控股)合作生产服务器,确实可以视为各取所长的战略举措。以下...
AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 原产国家 China 认证信息 RoHS 引脚数 4Pin 存储温度 -40℃~+125℃ 元件生命周期 Active 查找近似商品 商品介绍 温湿度传感器 TO46 0.1mA 0.06% 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分...
AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 原产国家 China 长x宽/尺寸 6.75 x 6.30mm 高度 2.50mm 存储温度 -55℃~+175℃ 元件生命周期 Active 极性 N-沟道 击穿电压 40V 栅极源极击穿电压 ±20V 反向传输电容Crss 191pF 额定功率 27W 功率耗散 ...