所以,Cu线较高硬度和较大的键合参数引起的焊盘弧坑就是良率损失的原因。 一般说来,对这种存储器件,Ag合金线的键合性能明显比镀Pa Cu线优越,其FAB硬度低而且键合参数小。 可靠性结果 由于Cu线在电测试中有漏电问题,在可靠性测试中仅检查Ag合金线。进行uHAST(非偏置的高度加速温度/湿度应力测试)、HTS(高温储存测...
半导体封装技术总体上可以分为两大类: (1) Wire Bonding 引线键合工艺,(2) Non-Wire Bonding 非键合工艺,如FC、Clip bond等封装技术。据相关数据统计,使用引线键合这种传统封装工艺的器件仍占据近70%的出货量。虽然近些年来以WLCSP为代表的先进封装技术发展迅速,但传统的封装工艺不会被完全淘汰,两者会长期共存发展。
半导体封装技术总体上可以分为两大类: (1) Wire Bonding 引线键合工艺,(2) Non-Wire Bonding 非键合工艺,如FC、Clip bond等封装技术。据相关数据统计,使用引线键合这种传统封装工艺的器件仍占据近70%的出货量。虽然近些年来以WLCSP为代表的先进封装技术发展迅速,但传统的封装工艺不会被完全淘汰,两者会长期共存发展。
配位化合物的异构现象,构造异构,立体异构,解离异构,水合异构,配位异构,配体异构,键合异构,几何异构,旋光异构 14:30 配位解离平衡,稳定常数,形成配合物对电极电势的影响(类比沉淀生成对电极电势的影响) 08:03 配位化合物的命名规则,两可配体,桥联配体,π电子配体 19:13 配位化合物的定义,螯合物,配体,中心...
谈到半导体封装就不得不提到其重要的封装材料—键合线。目前市场上的键合线根据材质分为几大类:金、银、铜、镀钯铜、铝等。这几类线材已得到了广泛应用,这里就不过多赘述,我们就谈谈最新一代的键合线产品—镀金银线。 1 键合线市场信息: 由于黄金具有出色的抗氧化、抗腐蚀能力,及良好的电特性等优点, 被广泛的...
当被光激发时,光生电子通过界面从TiO2传输到Ag原子,并直接形成漂移电流,这有利于空穴参与反应,从而提高TiO2的光催化性能｡Ag吸附系统中涉及的Ag､Ti和O原子的分波态密度(PDOS)如图2(c)所示,费米能级附近的重叠区域表明了Ag和TiO2之间的化学键合｡ ...
底板、陶瓷环框、宽扁平引线通过银铜钎焊工艺焊接成一整体,然后进行全镀金处理。 “4”为芯片,通过摩擦焊工艺,焊接到金属封装外壳内腔底部,再采用金丝键合工艺将芯片与宽扁平引线进行微组装; “5”为陶瓷盖帽,用于与金属封装外壳形成密封腔体,以保护其内部电路,从而形成完整的电路器件。
当被光激发时,光生电子通过界面从TiO2传输到Ag原子,并直接形成漂移电流,这有利于空穴参与反应,从而提高TiO2的光催化性能｡Ag吸附系统中涉及的Ag､Ti和O原子的分波态密度(PDOS)如图2(c)所示,费米能级附近的重叠区域表明了Ag和TiO2之间的化学键合｡ ...
当被光激发时,光生电子通过界面从TiO2传输到Ag原子,并直接形成漂移电流,这有利于空穴参与反应,从而提高TiO2的光催化性能｡Ag吸附系统中涉及的Ag､Ti和O原子的分波态密度(PDOS)如图2(c)所示,费米能级附近的重叠区域表明了Ag和TiO2之间的化学键合｡ ...
尽管倒装芯片和一些其他的3D封装发展迅猛,线键合仍是IC封装中最常用的互连手段。作为线键合产业中主要的装配材料,金线因其高导电率和极佳的可焊性长期以来一直用于存储器件中。但Au的价格是10年前的5倍以上(图1)。 Cu线是现今降低引线成本最普遍的解决方法。不过,高硬度限制了它的应用。比较之下,Ag线的硬度与Au...