8、用新建的模型进行电路仿真,接下来新建一个原理图(前面已经说过了怎么新建),新建原理图之后,Insert->template->ads_templates:BJT_curve_tracer 添加模板 9、添加我们建好的三极管 找到原来的工作空间,并将原来的模型导入 连线,并设置好IBB和VCE的参数,设置起始值和步进值,如下图: 因为这个模板中很多设置已经设置...
InGaP/GaAs HBT的晶体管结构和器件ADS仿真模型 图4、ADS中的BJT_Model 模型 BJT_Model提供BJT器件的值(BJT4器件包括基极端子),该模型根据Gummel和Poon的积分电荷控制模型改编而成,它在高偏置电平下具有多种影响。如果未指定Gummel-Poon所需的某些参数,它将简化为更简单的Ebers-Moll模型。 修正的Gummel-Poon BJT的...
1 创建一个原理图A（这个原理图用来制作一个元件）在 Lumped-Components 元件库中找到电容电感，加入原理图（元件库在左上角，下面同理）用insert wire连线 2 添加非线性元件（三极管）在 Devices-BJT 中找到NPN晶体管在 Devices-BJT 中找到BJT_MODEL连线 3 双击 BJT_MODEL 修改模型参数1.清除参数，如图2.修改3...
1)、和之前一样,新建工作空间和原理图 2)、插入BJT组件和模型,并设置,上一篇中会用了这个模型 3)、在”Lumped -Component”间面板中找到电阻,和两个隔离直流的电容,电阻上一篇中有总结,隔离直流电容如下。 4)、在“Source-Freq Domain”元件面板中,选择直流电压源V_DC插入原理图,设置电压值为5V;继续在该元件...
该电路为考虑寄生参量的放大器子电路,beta为他的一个参数,在上层电路中,默认beta值为160。预置电压Vaf为50,E.B漏电流Isc 为0.02e-12;端口B、C、E分别标识为Num2,1,3;C1,C2均为120 fF;L1,L2,L3均为320 pH,其中L1阻值0.01 Ω;BJT1即采用BJTM1模型。
对于性能较好的元件模型,最低层的子网络应包括封装寄生参数。一个测试模板将用来对一个可以计算,建立并检验的偏置网络的响应进行仿真并输出响应曲线。该实验中的电路是本教材中其它实验使用的放大器基础。 任务 建立一个考虑寄生参数的通用BJT模型,并保存在自电路中。 设置并运行大量DC仿真来确定其性能。 在数据显示...
(1)基本元件模型:包括电阻、电容、电感、二极管和晶体管等。 (2)器件模型:包括MOSFET、BJT和JFET等。 (3)子电路模型:包括放大器、滤波器和振荡器等。 3.3 ADS模型构建 ADS模型可以通过以下步骤进行构建: (1)定义元件:用户需要定义各种类型的元件,并且指定其参数和特性曲线。 (2)构建电路:用户需要使用图形用户界...
本文使用的晶体管为Cree的CGH40010F,根据文章ADS射频功率放大器设计之功率放大器的介绍和直流特性分析,添加DC模板后,加入晶体管模型,完整的仿真电路如图所示。 晶体管输入输出特性的仿真结果如图所示: 接下来添加输出直流负载线,在此之前,我们先简单介绍一下输出直流负载线的概念。如图所示,这是一个BJT的共射...
【Device - BJT】:晶体三极管元件面板包含各种晶体三极管模型元件。 【Device - Diodes】:二极管元件面板,包括各种二极管模型。 【 Device -GaAs】:砷化家元器件面板,包括各种砷化家庭效应管模型。 【Device -JFET】:结型场效应管元件面板,包括各种结型场效应管模型。
enerate : Copy/Modify jSymbol categorySymbol name:.ads rfl i b 1BIP: symbolBrovss.,Mapped to actual cymhol n皿金OKApplyCancelHelp选择Copy/ModifyDevices-BJT BJTNPN 单击OK按钮完成符号修改 (符号修改后记得保存)。修改后符号为:现在我们可以在10M的原理图中加入 2sc3356模型了:首先,在10M的原理图 9、...