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ADR430arz的主体结构采用先进的封装技术,内置磁性元件和功率半导体器件,同时具有过流保护、过温保护、过压保护等保护电路和功能,可以保证其在安全的状态下稳定工作。 二、产品怎么选 选择ADR430arz主要应考虑输入电压范围、输出电压范围、负载电流等参数。其中,输入电压范围通常为2.5V-6V,输出电压范围可按实际需要选择,...
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ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的电...
宽工作电压范围ADR430: 4.1 V至18 VADR431: 4.5 V至18 VADR433: 5.0 V至18 VADR434: 6.1 V至18 VADR435: 7.0 V至18 V 高输出源电流和吸电流: +30 mA和-20 mA 宽工作温度范围: -40 ℃至+125 ℃ 产品详情 ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的...
Data Sheet Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 FEATURES Low noise (0.1 Hz to 10.0 Hz): 3.5 µV p-p at 2.500 V output No external capacitor required Low temperature coefficient A grade: 10 ppm/°C maximum B ...
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