A2F12M12W2-F1 - ACEPACK 2电源模块,Fourpack拓扑,1200 V、13 mΩ(典型值),第二代碳化硅功率MOSFET,配NTC, A2F12M12W2-F1, STMicroelectronics
A2F12M12W2-F1模块采用4组拓扑,A2U12M12W2-F2模块采用3级拓扑。ACEEPACK 2具有低单元面积导通电阻和良好的几乎不受温度影响的开关性能。该电源模块的典型工作RDS(on)为13mΩ,漏极电流 (Id) 为75A, 最高结温 (TJ ) 为175°C以及电压绝缘为2.5kVrms。ACEPACK 2模块采用压配触点引脚,用于直流/直流转换器。(...
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A2F12M12W2-F1产品类别:新能源汽车模块制造商 : ST 封装: IGBT货期: 全新原装库存: 1000件数量: 询价 加入对比 技术参数 制造商 ST 包装 标准包装 描述 汽车IGBT分立半导体模块 ACEPACK 2 power module 封装/规格 IGBT 产品详情 A2F12M12W2-F1这种采用四组拓扑结构的 ACEPACK 2 电源模块集成了先进的硅的...
Packing Original Genuine Packaging Describe Automotive IGBT Discrete Semiconductor Module ACEPACK 2 Power Module Package IGBT Product Details The A2F12M12W2-F1 ACEPACK 2 power module in quad topology integrates advanced silicon carbide power MOSFET technology. The module takes advantage of the innovative ...
A2F12M12W2-F1 - ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET gen.2 with NTC, A2F12M12W2-F1, STMicroelectronics