8205ATSSOP8富满 20V N沟道增强型MOS场效应管 深圳市国润芯科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.07成交479276PCS 锂电池保护IC8205A8205S富满8205HA SOT-23-6TSSOP88205L德普 深圳市伟烨诚电子有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 ...
封装 TSSOP-8 批号 20+ 数量 120000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 80C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 8V 长度 7.5mm 宽度 3.3mm 高度 1.6mm 可售卖地 全国 型号 8205A 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情...
**8205A-VB** 是一款多功能的 MOSFET,具有 TSSOP8 封装,由 VBsemi 提供。它采用了共漏 N+N 型通道配置,适合于低压、中功率的电子应用。 ### 详细参数说明 - **封装类型**: TSSOP8 - **配置**: 共漏 N+N 型通道 - **击穿电压 (VDS)**: 20V - **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V - **阈...
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型号: STN8205AAST8RG-VB 丝印: VBC6N2022 品牌: VBsemi 参数: - 封装: TSSOP8 - 沟道类型: N—Channel - 额定电压(V): 20V - 额定电流(A): 4.8A - 开态电阻(RDS(ON)): 20mΩ / 22mΩ @ VGS=4.5V, VGS=15V - 阈值电压(Vth): 0.6~2V ...
封装类型:TSSOP-8,适合节省空间的电子应用。 高功率密度:1.5W的功率处理能力,适合高效率的电路设计。 低导通电阻:进一步降低了能量损耗,提高了整体系统效率。 高电流承载能力:适用于高功率的驱动电路,如电机驱动、电源转换等。 8205A芯片因其高效能与小型化特性相结合,在竞争激烈的市场中具备强大的竞争力,广泛应用于...
满足ROHS标准 概述 PW8205A8TS是具有极高单元密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET，为大多数小功率开关和负载提供出色的RDSON和栅极电荷 交换机应用程序。符合RoHS和产品要求，功能可靠 批准。功能。VDS=20V，ID=6A RDS（ON）<27 mQ@VGS=4.5V RDS（ON）<37 mQ@VGS=2.5V 提供8引脚TSSOP8封装 ...
8205A TSSOP8-VB 商品编号 C7525054 商品封装 TSSOP-8 包装方式 编带 商品毛重 0.12克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)6.6A 属性参数值 导通电阻(RDS(on))- ...
小风扇专用场效应管 8205A_6.0A_20V_TSSOP-8.pdf,AP8205A 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP8205A is the highest performance trench D 1 D 2 N-ch MOSFETs with extreme high cell density, G 1 G 2 which provide excellent RDSON and
TSSOP-8 AbsoluteMaximumRatingsTA=25°Cunlessotherwisenoted ParameterSymbolLimitUnit Drain-SourceVoltageV DS 20V Gate-SourceVoltageV GS ±12V DrainCurrent-Continuous@T J =25℃ I D 5A Pulsed b I DM 20A Drain-SourseDiodeForwardCurrent a I