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采用垂直式SiC国产外延设备,在天域半导体实验室中对南砂晶圆公司研发的国产 8 英寸晶圆进行了外延生长,实现了速率为 68.66 μm/h的快速外延生长,厚度不均匀性为 0.89%,掺杂不均 匀性为 2.05…
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天域半导体8英寸SiC晶圆制备与外延应用 ,但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸SiC晶圆的下一代器件和芯片。 近日,广东天域半导体股份有限公司丁雄杰博士团队联合广州南砂晶圆半导体技术有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司在《人工晶体学报》2 2024-12-07 10:39:36 ...