℃。这些数据清晰地表明,在相同的条件下,碳化硅需要更高的温度才能熔化,因此其熔点高于晶体硅。 碳化硅(SiC)是一种无机物,俗名金刚砂,是一种无色晶体,含杂质时呈蓝黑色。它的结构与金刚石相似,每个硅原子被4个碳原子包围,每个碳原子被4个硅原子 2024-08-08 10:15:40 图腾...
6H-SiC单晶材料的分子动力学分析
Ru是Pt族金属,已被成功用作n型或P型6H-SiC的整流电极.其功函数为5.4eV,具有熔点高(2400℃),化学稳定性好,在其它金属中的固溶度低的特点.采用直流磁控溅射法在n-SiC的Si面制备好金属电极后,将样品于400-1000℃退火5-10分钟.经800℃和1000℃退火后Ru(40nm)/S... 杨慧,彭同华,王文军,... - 中国晶体学会...
SiC材料具有熔点高，硬度高，耐腐蚀，抗辐照能力和抗氧化能力强等性能。被广泛用作耐火材料、耐磨材料，以及重要的核工业材料。[1–2] 在半导体科学和技术领域，SiC已成为第三代半导体材料。[3]由于对SiC材料的基本物理性质，如：力学、热学、晶体缺陷、抗辐射能力及其机理等尚缺乏深入了解，很多相关技术的发展受到...
补充资料:(+/-)-4-Ethyl-4,9-dihydroxy-1H-Pyrano[3',4':6,7]indolizino[1,2-b]quinoline-3,14(4H,12H)-dione 分子式:C20H16N2O5 分子量:364.35 CAS号:64439-81-2 性质:密度1.60。熔点230-237°C。 说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
SiC材料具备同质多型特性,在3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC的宽带隙半导体中___具备闪锌矿结构。A.三者都B.4H-SiCC.3C-SiCD.6H-SiC的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,
利用某些熔点低于母材熔点的金属材料作钎料,将焊件和钎料加热到高于钎料熔点,但低于母材熔点的温度,利用液态钎料润湿母材,填充接头间隙并与母材相互扩散实现连接焊件的方法不是指()。 A. 压焊 B. 熔焊 C. 钎焊 D. 对焊 E. 点焊 查看完整题目与答案 钨极惰性气体保护焊的焊接方法代号不是()。 A. 135...
在SiC中,每个Si原子周围距离最近的Si原子数目为___;若金刚砂的密度为ρg·cm-3,NA表示阿伏加德罗常数的值,则晶胞中碳原子与硅原子的最近距离为___pm。(用含ρ和NA的式子表示) 2[化学——选修3:物质结构与性质](15分)硼、硅、硒等元素及其化合物用途广泛。请回答下列问题:(1)基态硒原子的...
D、晶体熔点:晶体硅<SiC 下列物质与乙烯互为同系物的是( ) A、CH3-CH═CH-CH3 B、CH2═CH-CH═CH2 C、CH2═CH-CHO D、C6H5-CH═CH2 违法和不良信息举报电话:027-86699610 举报邮箱:58377363@163.com 精英家教网 首页 练习册答案 课本点读 寒假作业答案 暑假作业答案 试题分类 退出登录 ...
第36卷 Vo1.36 第6期 No.6 稀有金属 CHINESEJOURNAL0FRAREMETALS 2012年11月 NOV.2012 PVT法生长6H-SiC单晶中平面六方空洞缺陷研究 李翠,杨立文,蒋秉轩,杨志民 (北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京100088) 摘要:平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量。因此,研究和去除...