Ⅳ,==一譬(B 一 其中 d.为氧化层厚度,￡.为氧化层的相对介电常数,Q,为 SiC/SiO2 界面有效固定电荷密 度,VFB 为平带电压,西为金属和SiC 的功函数差. 西.=,m—WSiC=,m一(x+Ec—EF)(3) 金属A1 的功函数为4.2eV,6H—SiC 的亲和能x 为3.8eV,对于掺杂1.1×10.cm. 的n 型6H—SiC 来说,Ec—...
本文探究金属功函数,温度,P~+结结深以及肖特基区W_S占比对6H-SiC MPS的迅回效应的影响,并分析了肖特基区域中央垂直轴线,P~+N~-结区域垂直轴线以及P~+N~-结结深处横向扩散区域上转前,转时,转后的空穴载流子的浓度分布.同时折衷考虑反向恢复特性,通过优化结构参数和工艺参数,削弱或抑制迅回效应,可显著提高器件...