(1)flash型号为S29GL01GS11DHIV2,是cfi接口的flash,我写了一个测试程序,进行擦除、写、读操作,测试OK。 (2)编写烧写文件,将一个文件的数据写入到flash,然后再读出,测试OK。 (3)通过阅读文档,大体知道6678的emif nor flash的上电启动流程:【1】上电后,6678片内的bootloader(一级bootloader)直接执行flash的起...
你好,我在用6670开发板尝试,直接采用spi nor 加载,用你的单核的例子试了下,在将程序烧写到flash中去后,重启并修改启动方式为spi nor后,在ccs5中 连上仿真器并在界面上connect后,发现程序没有跑到entry point ,查看magic address已经被修改为entry point的地址,查看一些段,发现已经分配到对应的...
如图1的 Emif16 NOR-FLASH模式中,运行片上Loader后,PC指针直接指向NOR-FLASH首地址0×70000000并开始执行FLASH上的二级Loader程序,二级Loader存储在FLASH开始地址0×70000000~0×70000400的范围内。从0×70000400开始保存应用程序的根表数据(即被烧烧写到FLASH中的应用程序的数据)。二级Loader的功能是将保存在 FLASH中的...
（板子是6678，bootloader方式是EMIF16+Nor Flash，flash芯片为s29gl01gp13ffiv2）我现在使用的是8核的...
所谓上电加载(上电自举),即是当DSP复位后,正常运行用户程序之前运行的一段小程序,就像PC机的BIOS 一样。多核加载同单核加载区别很大,不但要负责主核的加载而且还有其他核的加载与激活。C6678的Emif16 NOR-FLASH 可以直接执行程序(XIP)(这与C641x系列DSP不同),其上电加载过程示于图1。
EMIF16外接NOR FLALSH存储器，按照手册上的说明，DSP的A23接FLASH a0,,DSP a0接FLASH a1 dsp...
核心板DSP通过EMIF16总线连接工业级NAND FLASH,采用8bit数据线,型号为S34MS01G2,容量为128MByte。 SPI NOR FLASH 核心板DSP通过SPI总线连接工业级SPI NOR FLASH,型号兼容GigaDevice公司的GD25WQ128E和Micron公司的MT25QU128ABA,容量为128Mbit。 核心板FPGA通过SPI总线连接工业级SPI NOR FLASH,型号为MT25QU256ABA...
C6678的EMIF16加载是一种直接从Nor Flash(必须挂在CE2空间:0x70000000)加载core0的模式,不需要I2C EEPROM的参与,由Rom code初始化EMIF16接口,并且由于EMIF16外接Nor Flash是一种XIP器件(即可以在芯片内执行),因此直接跳到Nor Flash的起始地址处开始执行。 为了将Nor Flash中的代码搬移到C6678 的core0的L2 SRAM...
核心板DSP通过EMIF16总线连接工业级NAND FLASH,采用8bit数据线,型号为S34MS01G2,容量为128MByte。 SPI NOR FLASH 核心板DSP通过SPI总线连接工业级SPI NOR FLASH,型号兼容GigaDevice公司的GD25WQ128E和Micron公司的MT25QU128ABA,容量为128Mbit。 核心板FPGA通过SPI总线连接工业级SPI NOR FLASH,型号为MT25QU256ABA...