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50P06 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些设备特别适合对于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗。50P06 特征 ● RDS(ON)≦17mΩ@VGS=-10V...
60VP沟道MOS管_50P06_国产场效应管_国内MOSFET_宇芯微 价格 ￥0.21 起订量 100PCS起批 发货地 广东 东莞 所属类目 电子元器件;晶体管;场效应管(MOSFET) 产品标签 50P06;60VP沟道MOS管;国产场效应管;国内MOSFET 获取底价 查看电话 在线咨询 东莞市宇芯电子有限公司 主营商品:宇芯微;可控硅;MOS管;高...
50p06场效应管是一种功率场效应管,广泛应用于电源开关和放大器电路中。它采用P沟道结构,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。在设计和应用电子设备时,了解和掌握50p06场效应管的参数非常重要,可以帮助我们更好地进行电路设计和性能调优。 二、50p06参数的含义及影响因素 1.静态参数 (1)阈值电压(VTH):是指控制场...
原装正品50P06场效应管P沟道50A大电流TO-252贴片封装30P06MOS管 深圳市福田区腾光达电子商行 9年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.75 SUD50P06-15 50P06 TO-252 P沟道 -60V -50A 大芯片 MOS场效应管 深圳市科盛先丰科技有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ...
50P06-ASEMI中低压P沟道MOS管50P06 型号:50P06 品牌:ASEMI 封装:TO-252 批号:最新 最大漏源电流:-50A 漏源击穿电压:-60V RDS(ON)Max:33mΩ 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流:ua 特性:P沟道MOS管、场效应管 ...
原装正品50P06场效应管P沟道50A大电流TO-252贴片封装30P06MOS管 深圳市福田区腾光达电子商行 9年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.95 成交10000PCS 厂家直营ME50P06-G TO-252封装 61A电流60V耐压 P沟道MOS场效应管 深圳市博仕森科技有限公司 4年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深...
50P06的最大VGS为±20V,这意味着在正常工作条件下,栅极电压与源极电压之间的电压差不应超过20V。 另一个重要的参数是漏极-源极电阻(RDS(on))。漏极-源极电阻是指场效应管在导通状态下,漏极与源极之间的电阻。50P06的典型RDS(on)为0.1Ω,这意味着在导通状态下,漏极与源极之间的电阻为0.1Ω。电阻越小,...
50P06 30P10 60V100V 100A P管大电流 正极做关断的电路原理图 P型MOS管的导通条件是什么?P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即...
50p06场效应管参数 50P06是一种N沟道MOSFET场效应管。以下是一些可能的参数和规格: -最大漏源电压:可以承受的最高漏源电压。 -最大漏源电流:可以通过管子的最大电流。 -阈值电压:控制场效应管导通的最低门电压。 -开启电阻:在导通状态下,场效应管的漏源电压和漏源电流之间的关系。 -最大功率耗散:场效应管...