型号 50P06 60VP沟道MOS管 50P06的特点: VDS=-60V ID=-50A RDS(ON)<-18mΩ@VGS=-10V 封装:TO-252、TO-220、TO-263 60VP沟道MOS管 50P06的应用: 电池保护 负载开关 不间断电源 60VP沟道MOS管 50P06的符号图: 60VP沟道MOS管 50P06的极限参数: (除非有特殊要求,TC=25℃) 60VP沟道MOS管 50P06的...
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原装正品50P06场效应管P沟道50A大电流TO-252贴片封装30P06MOS管 深圳市福田区腾光达电子商行 9年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.95 成交10000PCS 厂家直营ME50P06-G TO-252封装 61A电流60V耐压 P沟道MOS场效应管 深圳市博仕森科技有限公司 4年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深...
50P06的最大VGS为±20V,这意味着在正常工作条件下,栅极电压与源极电压之间的电压差不应超过20V。 另一个重要的参数是漏极-源极电阻(RDS(on))。漏极-源极电阻是指场效应管在导通状态下,漏极与源极之间的电阻。50P06的典型RDS(on)为0.1Ω,这意味着在导通状态下,漏极与源极之间的电阻为0.1Ω。电阻越小,...
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50P06-ASEMI中低压P沟道MOS管50P06 型号:50P06 品牌:ASEMI 封装:TO-252 批号:最新 最大漏源电流:-50A 漏源击穿电压:-60V RDS(ON)Max:33mΩ 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流:ua 特性:P沟道MOS管、场效应管 ...
P沟道 60V (D-S) MOSFET规格参数 50P06型号内阻 结电容 替代技巧 50P06 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些设备特别适合对于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，需要在非常小的外形表面贴装...
ME50P06-G 集成电路(IC) MATSUKI松木 封装TO-252 批号22+ ME50P06-G 632500 MATSUKI松木 TO-252 22+ ￥0.5500元50~99 个 ￥0.5000元>=100 个 深圳市特瑞斯科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 全新ME50P06-G 封装TO-252 电子元器件 MATSUKI/松木 ...
型号 AP50P06P 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也...