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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 场效应管、 MOS管、 微碧半导体、 4P04L04、 VB、 芯片 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 工作温度: 标准 封装/规格: TO-252(DPAK) 包装: 编带 最小包装量: 3000 产品特性: 大功率 封装: TO252 ...
这款 MOSFET 可以帮助控制电动车辆的动力输出,提高电机的效率和响应速度,同时减少能量损耗。 2. **工业电子**:在工业自动化和机器人系统中,4P04L04-VB 可以用作高效率的功率开关器件,例如用于工业电动工具、传动系统和控制器件中,提升设备的精准控制和性能表现。 3. **电源管理**:在高性能电源管理系统中,如高效...
1. **电源开关和逆变器**: 由于其负向的漏源电压和低导通电阻特性,4P04L04-VB适合用于负载开关和电源控制应用。例如,可以应用于DC-DC转换器、电动工具、家电电源和其他电源管理系统中,以提供可靠的电流调节和功率开关功能。 2. **电池管理系统**: 在需要负载开关来控制电池充放电过程和电流方向的应用中,如电动...
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4P04L04-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,具有负向工作电压能力和低导通电阻特性,适用于高性能和高功率密度的应用场合。 ### 详细参数说明 - **型号**: 4P04L04-VB - **封装**: TO220 - **配置**: 单 P 沟道 - **最大漏源电压 (VDS)**: -40V ...
4P04L04-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,具备高电流处理能力和低导通电阻特性。该器件采用槽道技术(Trench),适用于需要高性能负载开关和功率控制的应用。 ### 4P04L04-VB 详细参数说明 - **封装类型**:TO263 - **器件配置**:单 P 沟道 ...
4P04L04-VB是一款单P沟道MOSFET,采用TO252封装。它采用Trench技术设计,具有-40V的漏源电压和低导通电阻,适合负载开关和电源控制应用。 ### 详细参数说明 - **封装类型**: TO252 - **配置**: 单P沟道 - **漏源电压 (VDS)**: -40V - **栅源电压 (VGS)**: ±20V ...